[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管包含：

一栅极，配置于一基板上；

一栅极绝缘层，配置于该基板上，并覆盖该栅极；

一沟道层，设置于该栅极绝缘层上；

一欧姆接触层，设置于该沟道层上，且该欧姆接触层的表面具有Si-N弱键结；

一源极及一漏极，分别设置于该欧姆接触层的两侧并与该欧姆接触层部分重叠。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中该Si-N弱键结是通过等离子氮化处理形成的。

3.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其中该等离子氮化处理的气体是氨气。

4.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其中该等离子氮化处理的气体是氮气。

5.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其中该等离子氮化处理的气体是氧化氮。

6.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其中该等离子体氮化处理的功率为800W至1500W。

7.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其中该等离子体氮化处理的气体流量为6000sccm至15000sccm。

8.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其中该沟道层与该欧姆接触层是同时形成的。

9.如权利要求8所述的薄膜晶体管，其中该源极以及该漏极之间的欧姆接触层被蚀刻并曝露出该沟道层。

10.一种薄膜晶体管的制造方法包含：

在一基板上先后形成一栅极及一栅极绝缘层；

接着再形成一半导体层和一掺杂半导体层，其中该掺杂半导体形成之后，对该掺杂半导体层的表面进行等离子体氮化处理；

接续再形成一源极以及一漏极，以构成该薄膜晶体管。

11.如权利要求10所述的薄膜晶体管的制造方法，其中该等离子体氮化处理的气体为氨气。

12.如权利要求10所述的薄膜晶体管的制造方法，其中该等离子体氮化处理的气体为氮气。

13.如权利要求10所述的薄膜晶体管的制造方法，其中该等离子体氮化处理的气体为氧化氮。

14.如权利要求10所述的薄膜晶体管的制造方法，其中该等离子体氮化处理在该掺杂半导体层上形成Si-N弱键结。

15.如权利要求10所述的薄膜晶体管的制造方法，其中该等离子体氮化处理的功率为800W至1500W。

16.如权利要求10所述的薄膜晶体管的制造方法，其中该等离子体氮化处理的气体流量为6000sccm至15000sccm。

17.如权利要求10所述的薄膜晶体管的制造方法，其中在等离子体氮化处理后，蚀刻该半导体层与该掺杂半导体层分别形成沟道层与欧姆接触层。

18.如权利要求17所述的薄膜晶体管的制造方法，其中该源极以及该漏极之间的欧姆接触层被蚀刻并曝露出该沟道层。

19.如权利要求10所述的薄膜晶体管的制造方法，其中制造该薄膜晶体管之后，再依序形成一保护层和一像素电极，以构成薄膜晶体管阵列基板。