[发明专利]一种阵列基板及其制造方法和显示装置有效
申请号: | 201210195627.8 | 申请日: | 2012-06-13 |
公开(公告)号: | CN102723309A | 公开(公告)日: | 2012-10-10 |
发明(设计)人: | 黄炜赟;玄明花;高永益 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/02;G02F1/1362;G02F1/1343 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明实施例提供一种阵列基板及其制造方法和显示装置,涉及显示技术领域,通过减少mask工艺次数,降低制造成本,简化工艺流程,提高生产效率。该阵列基板的制造方法包括,在栅绝缘层、半导体有源层、数据线、源极和漏极上依次沉积第一透明导电薄膜和绝缘薄膜;通过一次构图工艺处理形成包括位于像素电极区域的由第一透明导电薄膜形成的与漏极连接的像素电极,位于数据线区域的由所述第一透明导电薄膜形成的数据线附加层,位于像素电极区域、数据线区域、源极区域、漏极区域的覆盖像素电极、数据线附加层、源极、漏极的由绝缘薄膜形成的钝化层;其中,像素电极的边缘位于钝化层的覆盖范围之内。 | ||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制造 方法 显示装置 | ||
【主权项】:
一种阵列基板的制造方法,其特征在于,包括:在基板上形成包括栅线、栅极、栅绝缘层、半导体有源层、数据线、源极和漏极的图形;在所述栅绝缘层、所述半导体有源层、所述数据线、所述源极和所述漏极上依次沉积第一透明导电薄膜和绝缘薄膜;通过一次构图工艺处理形成包括位于像素电极区域的由所述第一透明导电薄膜形成的与所述漏极连接的像素电极,位于数据线区域的由所述第一透明导电薄膜形成的数据线附加层,位于像素电极区域、数据线区域、源极区域、漏极区域的覆盖所述像素电极、所述数据线附加层、所述源极、所述漏极的由所述绝缘薄膜形成的钝化层;其中,所述像素电极的边缘位于所述钝化层的覆盖范围之内;在所述钝化层上沉积第二透明导电薄膜,通过构图工艺处理形成具有狭缝的公共电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210195627.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种宠物狗粮
- 下一篇:一种实现道路交叉口车流控制的方法和装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造