[发明专利]一种阵列基板及其制造方法和显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

在基板上形成包括栅线、栅极、栅绝缘层、半导体有源层、数据线、源极和漏极的图形；

在所述栅绝缘层、所述半导体有源层、所述数据线、所述源极和所述漏极上依次沉积第一透明导电薄膜和绝缘薄膜；

通过一次构图工艺处理形成包括位于像素电极区域的由所述第一透明导电薄膜形成的与所述漏极连接的像素电极，位于数据线区域的由所述第一透明导电薄膜形成的数据线附加层，位于像素电极区域、数据线区域、源极区域、漏极区域的覆盖所述像素电极、所述数据线附加层、所述源极、所述漏极的由所述绝缘薄膜形成的钝化层；其中，所述像素电极的边缘位于所述钝化层的覆盖范围之内；

在所述钝化层上沉积第二透明导电薄膜，通过构图工艺处理形成具有狭缝的公共电极。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述在基板上形成包括栅线、栅极、栅绝缘层、半导体有源层、数据线、源极和漏极的图形包括：

在基板上沉积第一金属薄膜，通过构图工艺处理形成包括栅线、栅极的图形；

在所述栅线、栅极和所述基板上形成栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上形成包括半导体有源层、数据线、源极、漏极的图形。

3.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述在基板上形成包括栅线、栅极、栅绝缘层、半导体有源层、数据线、源极和漏极的图形包括：

在基板上沉积半导体薄膜，并通过一次构图工艺处理形成包括半导体有源层的图形；

在所述半导体有源层上形成第一栅绝缘层，并通过一次构图工艺处理在所述第一栅绝缘层上形成第一过孔和第二过孔，其中，所述第一过孔、第二过孔分别位于所述半导体有源层的两端，且露出所述半导体有源层；

在所述第一栅绝缘层上沉积第一金属薄膜，并通过一次构图工艺处理形成包括栅线、栅极的图形；

以所述栅极为掩膜通过离子注入工艺，使所述栅极覆盖范围之外的所述半导体有源层转化为掺杂半导体有源层；

在所述栅线、栅极上形成第二栅绝缘层，并通过一次构图工艺处理在所述第二栅绝缘层上形成第三过孔和第四过孔；其中，所述第三过孔对应所述第一过孔，且露出所述第一过孔；所述第四过孔对应所述第二过孔，且露出所述第二过孔；

在所述第二栅绝缘层上形成包括数据线、源极和漏极的图形。

4.根据权利要求1～3任一所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，通过一次构图工艺处理形成包括位于像素电极区域的由所述第一透明导电薄膜形成的与所述漏极连接的像素电极，位于数据线区域的由所述第一透明导电薄膜形成的数据线附加层，位于像素电极区域、数据线区域、源极区域、漏极区域的覆盖所述像素电极、所述数据线附加层、所述源极、所述漏极的由所述绝缘薄膜形成的钝化层；其中，所述像素电极的边缘位于所述钝化层的覆盖范围之内包括：

在所述绝缘薄膜上涂布光刻胶，经过曝光、显影后在所述绝缘薄膜上形成包括对应数据线区域、像素电极区域、源极区域、漏极区域的光刻胶保留区域，以及露出所述绝缘薄膜的光刻胶完全去除区域；

通过第一刻蚀处理刻蚀掉所述光刻胶完全去除区域的绝缘薄膜，形成位于包括所述像素电极区域、所述数据线区域、所述源极区域、所述漏极区域的覆盖所述第一透明导电薄膜的钝化层；

通过第二刻蚀处理刻蚀掉露出的所述第一透明导电薄膜，形成包括位于数据线区域的数据线附加层和位于像素电极区域的像素电极；其中，所述像素电极的边缘位于所述钝化层的覆盖范围之内；

剥离掉剩余的光刻胶。