[发明专利]一种阵列基板及其制造方法和显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制造方法和显示装置。

背景技术

高级超维场转换技术(ADvanced Super Dimension Switch，简称ADS)，通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场开关技术可以提高TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜场效应晶体管液晶显示器)产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(push Mura)等优点。

ADS液晶显示器与其他液晶显示器相比具有扩大视角的优点，在当前平板显示器市场占据了重要的地位。然而对于ADS液晶显示器来说，阵列基板及其制造工艺决定了其产品的性能和价格，该阵列基板在传统的制作过程，通常是采用6次mask制造工艺(掩膜制造工艺)，该工艺流程一般是，栅极mask→半导体有源层mask→源漏极mask→第一氧化铟锡(1st ITO)mask→钝化层mask→第二氧化铟锡(2nd ITO)mask。

但是，mask工艺的成本和复杂度都很高，应用次数越多其制造成本就会越高，生产效率越低。

发明内容

本发明的实施例提供一种阵列基板及其制造方法和显示装置，通过减少mask工艺次数，从而降低制造成本，简化工艺流程，提高生产效率。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

一方面，提供一种阵列基板的制造方法，包括，

在基板上形成包括栅线、栅极、栅绝缘层、半导体有源层、数据线、源极和漏极的图形；

在所述栅绝缘层、所述半导体有源层、所述数据线、所述源极和所述漏极上依次沉积第一透明导电薄膜和绝缘薄膜；

通过一次构图工艺处理形成包括位于像素电极区域的由所述第一透明导电薄膜形成的与所述漏极连接的像素电极，位于数据线区域的由所述第一透明导电薄膜形成的数据线附加层，位于像素电极区域、数据线区域、源极区域、漏极区域的覆盖所述像素电极、所述数据线附加层、所述源极、所述漏极的由所述绝缘薄膜形成的钝化层；其中，所述像素电极的边缘位于所述钝化层的覆盖范围之内；

在所述钝化层上沉积第二透明导电薄膜，通过构图工艺处理形成具有狭缝的公共电极。

一方面，提供一种阵列基板，包括：

基板；

形成在所述基板上的栅线、栅极、栅绝缘层、半导体有源层、数据线、源极和漏极；

形成在包括所述数据线上方的导电的数据线附加层、形成在像素电极区域的像素电极；其中，所述数据线附加层与所述像素电极同层且材料相同；

形成在包括所述数据线附加层和所述像素电极上的钝化层；其中，所述像素电极的边缘位于所述钝化层的覆盖范围之内；

形成在所述钝化层上的公共电极。

其中，所述数据线附加层、所述像素电极、所述钝化层可以利用普通掩膜板通过一次构图工艺处理得到。

一方面，提供一种显示装置，包括上述的阵列基板。

本发明实施例提供的阵列基板及其制造方法和显示装置中，该阵列基板的制造方法，在基板上依次沉积完第一透明导电薄膜和绝缘薄膜后，通过一次构图工艺处理形成像素电极和图形化的钝化层，且刻蚀处理后的像素电极的边缘位于该钝化层的范围之内，相较现有技术中通过两次mask工艺制作像素电极和钝化层而言，能够在阵列基板的制作过程中减少mask工艺次数，从而降低制造成本，简化工艺流程，提高生产效率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的阵列基板的制造方法的流程示意图；

图2为本发明实施例提供的一种阵列基板的部分结构的示意图；

图9为本发明实施例提供的一种阵列基板的示意图；

图3为本发明实施例提供的另一种阵列基板的部分结构的示意图；

图9’为本发明实施例提供的另一种阵列基板的示意图；

图4～图9为本发明实施例提供的一种阵列基板的制造方法过程中阵列基板的结构示意图；