[发明专利]P通道闪存结构无效
| 申请号： | 201210195468.1 | 申请日： | 2012-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN103390636A | 公开（公告）日： | 2013-11-13 |
| 发明（设计）人： | 姜淳远 | 申请（专利权）人： | 常忆科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹科学工业*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种P通道闪存结构包括N型掺杂基底、穿隧氧化层、氮化物栅极、栅间介电层、控制栅极、第一P型掺杂区以及第二P型掺杂区。该穿隧氧化层设置于N型掺杂基底上，该氮化物栅极设置于穿隧氧化层上，该栅间介电层设置于氮化物栅极上，该控制栅极设置于栅间介电层上，该第一P型掺杂区设置于N型掺杂基底中，并用以作为P通道闪存结构的源极，而该第二P型掺杂区设置于N型掺杂基底中，并用以作为P通道闪存结构的漏极。 | ||
| 搜索关键词： | 通道 闪存 结构 | ||
【主权项】：
一种P通道闪存结构，包括：N型掺杂基底；穿隧氧化层，设置于该N型掺杂基底上；氮化物栅极，设置于该穿隧氧化层上；栅间介电层，设置于该氮化物栅极上；控制栅极，设置于该栅间介电层上；第一P型掺杂区，设置于该N型掺杂基底中且位于该氮化物栅极下方的一侧，并用以作为该P通道闪存结构的源极；以及第二P型掺杂区，设置于该N型掺杂基底中且位于该氮化物栅极下方的另一侧，并用以作为该P通道闪存结构的漏极。
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