[发明专利]P通道闪存结构无效
| 申请号： | 201210195468.1 | 申请日： | 2012-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN103390636A | 公开（公告）日： | 2013-11-13 |
| 发明（设计）人： | 姜淳远 | 申请（专利权）人： | 常忆科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹科学工业*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 通道 闪存 结构 | ||
1.一种P通道闪存结构，包括：
N型掺杂基底；
穿隧氧化层，设置于该N型掺杂基底上；
氮化物栅极，设置于该穿隧氧化层上；
栅间介电层，设置于该氮化物栅极上；
控制栅极，设置于该栅间介电层上；
第一P型掺杂区，设置于该N型掺杂基底中且位于该氮化物栅极下方的一侧，并用以作为该P通道闪存结构的源极；以及
第二P型掺杂区，设置于该N型掺杂基底中且位于该氮化物栅极下方的另一侧，并用以作为该P通道闪存结构的漏极。
2.根据权利要求1所述的P通道闪存结构，其中该穿隧氧化层的厚度小于约2毫米，该氮化物栅极的厚度小于约5毫米，而该栅间介电层的厚度小于约4毫米。
3.根据权利要求1所述的P通道闪存结构，其中该P通道闪存结构采用福勒诺汉写入机制，且满足下列式子：
其中Eox1为跨于该穿隧氧化层之间的电场、Tox1为该穿隧氧化层的厚度、TN为该氮化物栅极的厚度、eOX为该穿隧氧化层的介电系数及eN为该氮化物栅极的介电系数。
4.根据权利要求1所述的P通道闪存结构，还包括：
P型微掺杂区，设置于该N型掺杂基底中且位于该氮化物栅极下方，并紧邻于该第一P型掺杂区。
5.根据权利要求1所述的P通道闪存结构，还包括：
保护层，包覆于该P通道闪存结构的外侧，其中该P通道闪存结构的该控制栅极露出。
6.一种P通道闪存结构，包括：
P通道控制栅极晶体管，包括：
N型掺杂基底；
穿隧氧化层，设置于该N型掺杂基底上；
氮化物栅极，设置于该穿隧氧化层上；
栅间介电层，设置于该氮化物栅极上；
控制栅极，设置于该栅间介电层上；
第一P型掺杂区，设置于该N型掺杂基底中且位于该氮化物栅极下方的一侧，并用以作为该P通道控制栅极晶体管的源极；以及
第二P型掺杂区，设置于该N型掺杂基底中且位于该氮化物栅极下方的另一侧，并用以作为该P通道控制栅极晶体管的漏极；以及
P通道选择栅极晶体管，包括：
该N型掺杂基底；
氧化物层，设置于该N型掺杂基底上；
选择栅极，设置于该氧化物层上；
第三P型掺杂区，设置于该N型掺杂基底中且位于该氧化物层下方的一侧，并用以作为该P通道选择栅极晶体管的漏极；以及
该第二P型掺杂区，其中该第二P型掺杂区更用以作为该P通道选择栅极晶体管的源极，并设置于该N型掺杂基底中且位于该氧化物层下方的另一侧。
7.根据权利要求6所述的P通道闪存结构，其中该P通道控制栅极晶体管的该穿隧氧化层的厚度小于约2毫米，该氮化物栅极的厚度小于约5毫米，而该栅间介电层的厚度小于约4毫米。
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