[发明专利]一种渐变结构的选择性发射极太阳电池及其制作方法

摘要

本发明公开了一种渐变结构的选择性发射极太阳电池及其制作方法，该太阳电池包括P型晶体硅衬底、N型深发射极N++、N型浅发射极N+、减反射膜、正电极、铝背场和背电极；多个N型深发射极N++和多个N型浅发射极N+相互间隔地设在P型晶体硅的正面；所述N型深发射极N++含有激光辐照烧蚀制作时所形成的凹槽；所述N型浅发射极N+与N型深发射极N++之间为线性渐变过渡结构，且该渐变结构形成在所述凹槽的侧壁中，并使所述凹槽为梯形斜槽。该结构的太阳电池具有磷源利用率高、电流收集效果强、光生载流子收集几率高的特点。

主权项

一种渐变结构的选择性发射极太阳电池，包括P型晶体硅衬底、N型深发射极N++、N型浅发射极N+、减反射膜、正电极、铝背场和背电极；多个N型深发射极N++和多个N型浅发射极N+相互间隔地设在P型晶体硅的正面；所述N型深发射极N++含有激光辐照烧蚀制作时所形成的凹槽；其特征在于：所述N型浅发射极N+与N型深发射极N++之间为线性渐变过渡结构，且该渐变结构形成在所述凹槽的侧壁中，并使所述凹槽为梯形斜槽。