[发明专利]一种渐变结构的选择性发射极太阳电池及其制作方法

权利要求书

1.一种渐变结构的选择性发射极太阳电池，包括P型晶体硅衬底、N型深发射极N⁺⁺、N型浅发射极N⁺、减反射膜、正电极、铝背场和背电极；多个N型深发射极N⁺⁺和多个N型浅发射极N⁺相互间隔地设在P型晶体硅的正面；所述N型深发射极N⁺⁺含有激光辐照烧蚀制作时所形成的凹槽；其特征在于：所述N型浅发射极N⁺与N型深发射极N⁺⁺之间为线性渐变过渡结构，且该渐变结构形成在所述凹槽的侧壁中，并使所述凹槽为梯形斜槽。

2.根据权利要求1所述的渐变结构的选择性发射极太阳电池，其特征在于：所述的线性渐变过渡结构为含磷浓度成线性变化，且是由上至下呈渐次增加。

3.根据权利要求1所述的渐变结构的选择性发射极太阳电池，其特征在于：所述P型晶体硅衬底为多晶硅或者单晶硅。

4.根据权利要求2所述的渐变结构的选择性发射极太阳电池，其特征在于：所述N型深发射极N⁺⁺结深是渐变性的，范围为0.5-2um。

5.根据权利要求2所述的渐变结构的选择性发射极太阳电池，其特征在于：所述N型浅发射极N⁺结深为0.2-0.3um。

6.一种渐变结构的选择性发射极太阳电池的制作方法，其特征在于：包括如下步骤：

a．在P型晶体硅衬底上制作绒面；

b．在温度为400-1100℃的管式扩散炉中，用三氯氧磷液态源对P型晶体硅衬底进行扩散，形成N型浅发射极N⁺和磷硅玻璃薄层；

c．采用激光辐照方法，用具有一定波长的激光辐照烧蚀出N型重掺杂区，形成N型深发射极N⁺⁺；

d．利用氢氟酸溶液进行去磷硅玻璃清洗、刻边；

e．在晶体硅表面镀氮化硅减反射膜；

f．用丝网印刷工艺印制正电极和背电极以及铝背场；

g．对晶体硅进行烧结，金属化处理；

其中，步骤c中所述激光辐照方法为通过调节激光光斑中心到边缘的焦距，让中心到边缘的光强/功率形成线性变化，使N型深发射极N⁺⁺与N型浅发射极N⁺之间形成线性渐变过渡结构。

7.根据权利要求6所述的渐变结构的选择性发射极太阳电池的制作方法，其特征在于：在步骤c中，所述激光的波长为532nm或1064nm。

8.根据权利要求6所述的渐变结构的选择性发射极太阳电池的制作方法，其特征在于：所述的线性渐变过渡结构为含磷浓度成线性变化，且是由上至下呈渐次增加。