[发明专利]在封装工艺中切割底部填充物有效
| 申请号： | 201210193236.2 | 申请日： | 2012-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN103219293A | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | 卢思维;王英达;郭立中;林俊成 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/98 | 分类号： | H01L21/98;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种方法包括：在第三封装元件的顶面上接合第一封装元件和第二封装元件；及分配聚合物。该聚合物包括：位于第一封装元件和第三封装元件之间的间隔中的第一部分；位于第二封装元件和第三封装元件之间的间隔内的第二部分；及位于第一封装元件和第二封装元件之间的间隔内的第三部分。然后对聚合物实施固化工艺。在固化工艺之后，切割聚合物的第三部分以在第一封装元件和第二封装元件之间形成沟槽。本发明还提供了在封装工艺中切割底部填充物。 | ||
| 搜索关键词： | 封装 工艺 切割 底部 填充物 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：在第三封装元件的顶面上接合第一封装元件和第二封装元件；分配第一聚合物，其中，所述第一聚合物包括：第一部分，位于所述第一封装元件和所述第三封装元件之间的间隔中；第二部分，位于所述第二封装元件和所述第三封装元件之间的间隔中；以及第三部分，位于所述第一封装元件和所述第二封装元件之间的间隔中；对所述第一聚合物实施固化；以及在所述固化之后，切割所述第一聚合物的所述第三部分以在所述第一封装元件和所述第二封装元件之间形成沟槽，其中一次实施所述切割工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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