[发明专利]在封装工艺中切割底部填充物有效
申请号: | 201210193236.2 | 申请日: | 2012-06-12 |
公开(公告)号: | CN103219293A | 公开(公告)日: | 2013-07-24 |
发明(设计)人: | 卢思维;王英达;郭立中;林俊成 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/98 | 分类号: | H01L21/98;H01L23/31 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;孙征 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 工艺 切割 底部 填充物 | ||
技术领域
本发明涉及集成电路的封装方法,具体而言,涉及一种在封装工艺中切割的方法。
背景技术
在集成电路的封装中,可以将多个管芯接合在中介层晶圆上,其包括在其中的多个中介层。在接合管芯之后,可以将底部填充物分配到管芯和中介层晶圆之间的间隔内。然后可以实施固化工艺使底部填充物固化。
可以发现固化后的底部填充物可以收缩。结果是,固化的底部填充物对管芯和中介层晶圆实施压力,并因此可以引起中介层晶圆翘曲。中介层晶圆翘曲进一步导致在随后的工艺中的工艺困难。例如,在随后工艺(例如,模塑、研磨、薄膜等等)中,中介层晶圆需要通过真空固定在工作盘上。然而,因为中介层晶圆具有翘曲,中介层晶圆可能不能固定在工作盘上。
发明内容
为了解决现有技术中存在的问题,根据本发明的一个方面,提供了一种方法,包括:在第三封装元件的顶面上接合第一封装元件和第二封装元件;分配第一聚合物,其中,所述第一聚合物包括:第一部分,位于所述第一封装元件和所述第三封装元件之间的间隔中;第二部分,位于所述第二封装元件和所述第三封装元件之间的间隔中;以及第三部分,位于所述第一封装元件和所述第二封装元件之间的间隔中;对所述第一聚合物实施固化;以及在所述固化之后,切割所述第一聚合物的所述第三部分以在所述第一封装元件和所述第二封装元件之间形成沟槽,其中一次实施所述切割工艺。
在上述方法中,其中,所述固化是部分固化,并且其中,所述方法还包括,在切割所述第一聚合物的所述第三部分的步骤之后,实施热步骤以完全固化所述第一聚合物。
在上述方法中,其中,在固化步骤之后,所述第一聚合物完全固化。
在上述方法中,还包括:在切割步骤之后,用第二聚合物模塑所述第一封装元件,所述第二封装元件,以及所述第三封装元件,其中,填充所述第二聚合物至所述沟槽内。
在上述方法中,还包括:在切割步骤之后,用第二聚合物模塑所述第一封装元件,所述第二封装元件,以及所述第三封装元件,其中,填充所述第二聚合物至所述沟槽内,还包括:在用所述第二聚合物模塑的步骤之后,对所述第三封装元件实施管芯切割以将所述第三封装元件分成单个封装件。
在上述方法中,其中,所述沟槽具有与所述第一封装元件和所述第二封装元件的底面基本上相平或者低的底部,并且其中,所述沟槽的底部高于所述第三封装元件的顶面。
在上述方法中,其中,在切割所述第一聚合物的所述第三部分之后,所述第一聚合物的所述第三部分包括在所述沟槽的相对面上的剩余部分,并且其中,所述剩余部分与所述第一封装元件和所述第二封装元件的侧壁接触。
根据本发明的另一方面,还提供了一种方法,包括:在晶圆的多个管芯的每一个的顶面上接合第一管芯和第二管芯;将底部填充物分配至所述第一管芯和所述第二管芯与所述晶圆之间的空间内,其中,所述底部填充物包括设置在所述第一管芯和所述第二管芯之间的间隔内的一部分;实施固化步骤以固化所述底部填充物;在所述固化步骤之后,切割所述底部填充物的所述部分以形成沟槽;以及在切割步骤之后,实施热步骤以退火所述底部填充物。
在上述方法中,其中,在所述固化步骤之后,所述底部填充物部分固化。
在上述方法中,还包括:在所述第一管芯、所述第二管芯、及所述晶圆上方模塑模塑料,其中,所述模塑料填充至所述沟槽内;以及将所述晶圆及所述第一管芯和所述第二管芯切割成多个封装件,其中,每个所述多个封装件包括各自的第一管芯和各自的第二管芯。
在上述方法中,还包括:在所述第一管芯、所述第二管芯、及所述晶圆上方模塑模塑料,其中,所述模塑料填充至所述沟槽内;以及将所述晶圆及所述第一管芯和所述第二管芯切割成多个封装件,其中,每个所述多个封装件包括各自的第一管芯和各自的第二管芯,还包括:在模塑所述模塑料的步骤之后和在切割所述晶圆的步骤之前,在所述晶圆的背面上形成多个连接件。
在上述方法中,其中,所述晶圆包括:衬底;以及多个衬底通孔,位于所述衬底中,其中,将所述多个衬底通孔电连接至所述第一管芯和所述第二管芯。
在上述方法中,其中,在切割所述底部填充物的所述部分以形成所述沟槽的步骤中,不切割所述晶圆。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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