[发明专利]在封装工艺中切割底部填充物有效
申请号: | 201210193236.2 | 申请日: | 2012-06-12 |
公开(公告)号: | CN103219293A | 公开(公告)日: | 2013-07-24 |
发明(设计)人: | 卢思维;王英达;郭立中;林俊成 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/98 | 分类号: | H01L21/98;H01L23/31 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;孙征 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 工艺 切割 底部 填充物 | ||
1.一种方法,包括:
在第三封装元件的顶面上接合第一封装元件和第二封装元件;
分配第一聚合物,其中,所述第一聚合物包括:
第一部分,位于所述第一封装元件和所述第三封装元件之间的间隔中;
第二部分,位于所述第二封装元件和所述第三封装元件之间的间隔中;以及
第三部分,位于所述第一封装元件和所述第二封装元件之间的间隔中;
对所述第一聚合物实施固化;以及
在所述固化之后,切割所述第一聚合物的所述第三部分以在所述第一封装元件和所述第二封装元件之间形成沟槽,其中一次实施所述切割工艺。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述固化是部分固化,并且其中,所述方法还包括,在切割所述第一聚合物的所述第三部分的步骤之后,实施热步骤以完全固化所述第一聚合物。
3.根据权利要求1所述的方法,其中,在固化步骤之后,所述第一聚合物完全固化。
4.根据权利要求1所述的方法,还包括:
在切割步骤之后,用第二聚合物模塑所述第一封装元件,所述第二封装元件,以及所述第三封装元件,其中,填充所述第二聚合物至所述沟槽内。
5.一种方法,包括:
在晶圆的多个管芯的每一个的顶面上接合第一管芯和第二管芯;
将底部填充物分配至所述第一管芯和所述第二管芯与所述晶圆之间的空间内,其中,所述底部填充物包括设置在所述第一管芯和所述第二管芯之间的间隔内的一部分;
实施固化步骤以固化所述底部填充物;
在所述固化步骤之后,切割所述底部填充物的所述部分以形成沟槽;以及
在切割步骤之后,实施热步骤以退火所述底部填充物。
6.根据权利要求5所述的方法,其中,在所述固化步骤之后,所述底部填充物部分固化。
7.根据权利要求5所述的方法,还包括:
在所述第一管芯、所述第二管芯、及所述晶圆上方模塑模塑料,其中,所述模塑料填充至所述沟槽内;以及
将所述晶圆及所述第一管芯和所述第二管芯切割成多个封装件,其中,每个所述多个封装件包括各自的第一管芯和各自的第二管芯。
8.一种器件,包括:
第一封装元件;
第二封装元件和第三封装元件,所述第二封装元件和所述第三封装元件接合至所述第一封装元件的顶面;
第一聚合物区,包括接触所述第一封装元件的第一侧壁的第一部分,其中,所述第一部分位于所述第二封装元件和所述第三封装元件之间的间隔内;以及
第二聚合物区,设置在所述间隔内,其中,所述第二聚合物接触所述第一聚合物的所述第一部分的侧壁以形成第一可见界面,并且其中,所述第一可见界面包括基本上垂直于所述第一封装元件的顶面的部分。
9.根据权利要求8所述的器件,其中,所述第一聚合物区还包括:
第二部分,位于所述间隔内,其中,所述第二聚合物区设置在所述第一聚合物区的所述第一部分和所述第二部分之间,其中,所述第二聚合物区接触所述第一聚合物区的所述第二部分的侧壁以形成第二可见界面,并且其中,所述第二可见界面包括基本上垂直于所述第一封装元件的顶面的部分。
10.根据权利要求8所述的器件,其中,所述第一聚合物区和所述第二聚合物区包括不同的聚合物。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造