[发明专利]半导体结构及其制造方法

摘要

本发明提供了一种半导体结构及其制造方法，该方法包括提供衬底，在衬底上形成应力层，埋氧层，SOI层；在应力层中形成位于特定位置的应力层掺杂区；在SOI层上形成氧化物层和氮化物层，并刻蚀氮化物层、氧化物层、SOI层和埋氧层，停止于应力层上表面，形成至少暴露所述应力层掺杂区的一部分的第一沟槽；通过第一沟槽采用湿法刻蚀去除应力层掺杂区，形成空腔；向空腔中填充多晶硅并进行回刻蚀，形成应力层多晶硅区和第二沟槽；填充第二沟槽形成隔离区。本发明提供的半导体结构及其制造方法通过引入应力层以及根据器件类型设置在其中的特定位置的应力引发区，为半导体器件的沟道提供了有利应力，有助于提升半导体器件的性能。

主权项

一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：a）提供衬底（100），在所述衬底（100）上依次形成应力层（120），埋氧层（130），SOI层（140）；b）根据将要形成的半导体器件的类型，在所述应力层（120）中形成布置在特定位置的应力层掺杂区（160）；c）在所述SOI层（140）上依次形成氧化物层（170）和氮化物层（180），形成贯穿所述氮化物层（180）、所述氧化物层（170）、所述SOI层（140）和所述埋氧层（130），停止于所述应力层（120）的上表面的第一沟槽，所述第一沟槽至少暴露所述应力层掺杂区（160）的一部分；d）通过所述第一沟槽刻蚀去除所述应力层掺杂区（160），形成空腔；e）向所述空腔中填充多晶硅，并进行回刻蚀，形成应力层多晶硅区（190）和第二沟槽；f）填充第二沟槽以形成隔离区（300）。