[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

a）提供衬底（100），在所述衬底（100）上依次形成应力层（120），埋氧层（130），SOI层（140）；

b）根据将要形成的半导体器件的类型，在所述应力层（120）中形成布置在特定位置的应力层掺杂区（160）；

c）在所述SOI层（140）上依次形成氧化物层（170）和氮化物层（180），形成贯穿所述氮化物层（180）、所述氧化物层（170）、所述SOI层（140）和所述埋氧层（130），停止于所述应力层（120）的上表面的第一沟槽，所述第一沟槽至少暴露所述应力层掺杂区（160）的一部分；

d）通过所述第一沟槽刻蚀去除所述应力层掺杂区（160），形成空腔；

e）向所述空腔中填充多晶硅，并进行回刻蚀，形成应力层多晶硅区（190）和第二沟槽；

f）填充第二沟槽以形成隔离区（300）。

2.根据权利要求1所述的方法，在步骤f）之后还包括在所述应力层（120）和所述应力层多晶硅区（190）中形成接地层（400）。

3.根据权利要求1所述的方法，在步骤b）中，如果要形成的半导体器件为NMOS，则应力层掺杂区（160）布置在将要在SOI层（140）中形成的半导体器件的沟道区下方两侧的应力层中。

4.根据权利要求1所述的方法，在步骤b）中，如果要形成的半导体器件为PMOS，则应力层掺杂区（160）布置在将要在SOI层（140）中形成的半导体器件的沟道区正下方的应力层中。

5.根据权利要求1所述的方法，在步骤b）中应力层掺杂区（160）的掺杂为n型掺杂。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，采用智能剥离技术形成所述SOI层（140）。

7.根据权利要求2所述的方法，其中，采用离子注入和退火工艺形成所述接地层（400）。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述应力层（120）的材料为硅锗。

9.根据权利要求7所述的方法，其中，所述应力层（120）中锗的含量为15%~30%。

10.根据权利要求1所述的方法，在步骤f）之后还包括去除氧化物层（170）和氮化物层（180）。

11.根据权利要求1所述的方法，在步骤f）之后还包括形成位于SOI层之上的栅极堆叠（200）和位于栅极堆叠（200）两侧的源/漏区（110）。

12.一种半导体结构包括：衬底（100）、应力层（120）、埋氧层（130）、SOI层（140）、源/漏区（110）、应力层多晶硅区（190）和栅极堆叠（200），其中：

所述栅极堆叠（200）形成在所述SOI层（140）之上；

所述源/漏区（110）形成于所述SOI层（140）之中且位于所述栅极堆叠（200）两侧；

所述衬底（100）上依次形成有应力层（120）、埋氧层（130）和SOI层（140）；

所述应力层多晶硅区（190）位于所述应力层（120）中，并且根据半导体结构的器件类型位于所述栅极堆叠（200）两侧或所述栅极堆叠（200）下方。

13.根据权利要求12所述的结构，其中如果形成的半导体器件为NMOS，则应力层多晶硅区（190）布置在所述栅极堆叠（200）两侧的所述应力层（120）中。

14.根据权利要求12所述的结构，其中如果形成的半导体器件为PMOS，则应力层多晶硅区（190）布置在所述栅极堆叠（200）下方的所述应力层（120）中。

15.根据权利要求12所述的结构，还包括接地层，其紧邻埋氧层（130）而位于埋氧层（130）下方的应力层（120）中。

16.根据权利要求15所述的结构，其中接地层的掺杂类型为n型或p型。

17.根据权利要求12所述的结构，其中，所述应力层（120）的材料为硅锗。

18.根据权利要求17所述的结构，其中，所述应力层（120）中锗的含量为15%~30%。