[发明专利]一种无需侧墙制作半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201210186815.4 | 申请日： | 2012-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN103474352A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 卜伟海;康劲;王文博 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;付伟佳 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种无需侧墙制作半导体器件的方法，包括步骤：a）提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有具有第一宽度的第一栅材料层；b）执行离子注入工艺，以在所述第一栅材料层两侧的半导体衬底中形成源极和漏极；c）对所述第一栅材料层进行修剪，以形成具有第二宽度的第二栅材料层；d）执行离子注入工艺，以在所述第二栅材料层两侧的半导体衬底中形成浅掺杂区；和e）对所述第二栅材料层进行修剪，以形成具有第三宽度的第三栅材料层。本发明的方法无需侧墙来制作半导体器件，因而可以避免形成和去除偏移间隙壁和间隙壁给生产周期和生产成本带来的延长和增加，并且还能够精确地控制浅掺杂区和源/漏极的位置以及有效沟道长度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 无需 制作 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种无需侧墙制作半导体器件的方法，包括步骤：a）提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有具有第一宽度的第一栅材料层；b）执行离子注入工艺，以在所述第一栅材料层两侧的半导体衬底中形成源极和漏极；c）对所述第一栅材料层进行修剪，以形成具有第二宽度的第二栅材料层；d）执行离子注入工艺，以在所述第二栅材料层两侧的半导体衬底中形成浅掺杂区；和e）对所述第二栅材料层进行修剪，以形成具有第三宽度的第三栅材料层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
