[发明专利]一种无需侧墙制作半导体器件的方法

权利要求书

1.一种无需侧墙制作半导体器件的方法，包括步骤：

a）提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有具有第一宽度的第一栅材料层；

b）执行离子注入工艺，以在所述第一栅材料层两侧的半导体衬底中形成源极和漏极；

c）对所述第一栅材料层进行修剪，以形成具有第二宽度的第二栅材料层；

d）执行离子注入工艺，以在所述第二栅材料层两侧的半导体衬底中形成浅掺杂区；和

e）对所述第二栅材料层进行修剪，以形成具有第三宽度的第三栅材料层。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述半导体衬底上形成有覆盖所述半导体衬底的栅介电层。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述e）步骤之后包括对所述栅介电层进行刻蚀的步骤，以去除未被所述第三栅材料层覆盖的栅介电层，刻蚀后的所述栅介电层与所述第三栅材料层构成栅极。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述c）步骤和/或所述e）步骤中的所述修剪是采用各向同性刻蚀法进行的。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述各向同性刻蚀法为远程等离子体刻蚀法。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一宽度与所述第二宽度之间的差值为10-200nm。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二宽度与所述第三宽度之间的差值为6-30nm。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述e）步骤之后还包括形成覆盖所述半导体衬底和所述第三栅材料层的应力层。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述应力层为接触孔刻蚀停止应力层。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述应力层为氧化硅层和氮化硅层的组合。