[发明专利]功率半导体器件封装及制造方法无效
| 申请号： | 201210185444.8 | 申请日： | 2010-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN102655134A | 公开（公告）日： | 2012-09-05 |
| 发明（设计）人： | 鲁军;弗兰克斯·赫尔伯特;刘凯;张晓天 | 申请（专利权）人： | 万国半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/492 | 分类号： | H01L23/492;H01L21/48;H01L21/50 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 美国加利福尼亚*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种功率半导体器件封装包括一个带有连接结构的导电装置，以及一个带有贯穿开口的半导体晶片，开口的尺寸和结构要足够容纳连接结构。在一个可选实施例中，一种功率半导体器件封装包括一个带有连接结构的导电装置，以及一对半导体晶片，设置在连接结构的任意一侧，并间隔一定的距离。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 封装 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种功率半导体器件封装，其特征在于，包括：一个含有平板部分的导电装置，平板结构上有一个连接结构；以及一对半导体晶片电耦合到平板部分，设置在连接结构的两侧，并间隔一定的距离。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于万国半导体有限公司，未经万国半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210185444.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有炉渣推送装置的炉具
- 下一篇：大容量四角切圆燃煤锅炉各级过热器的连接结构
