[发明专利]功率半导体器件封装及制造方法无效
| 申请号： | 201210185444.8 | 申请日： | 2010-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN102655134A | 公开（公告）日： | 2012-09-05 |
| 发明（设计）人： | 鲁军;弗兰克斯·赫尔伯特;刘凯;张晓天 | 申请（专利权）人： | 万国半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/492 | 分类号： | H01L23/492;H01L21/48;H01L21/50 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 美国加利福尼亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 封装 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种功率半导体器件封装，其特征在于，包括：
一个含有平板部分的导电装置，平板结构上有一个连接结构；以及
一对半导体晶片电耦合到平板部分，设置在连接结构的两侧，并间隔一定的距离。
2.如权利要求1所述的一种功率半导体器件封装，其特征在于，导电装置通常为“T”形。
3.如权利要求1所述的一种功率半导体器件封装，其特征在于，连接结构为一个沟道。
4.一种制备功率半导体器件封装的方法，其特征在于，包括以下步骤：
制备一个导电板；
在导电板上间隔形成连接结构；
贴上半导体晶片，使得在相邻的连接结构之间，设置有一对半导体晶片；以及
切割导电板形成功率半导体器件独立封装，连接结构将一对半导体晶片分隔开。
5.如权利要求4中所述的一种制备功率半导体器件封装的方法，其特征在于，连接结构为一个沟道。
6.如权利要求5中所述的一种制备功率半导体器件封装的方法，其特征在于，通过压印导电板的方式，间隔形成连接结构。
7.如权利要求5中所述的一种制备功率半导体器件封装的方法，其特征在于，在导电板上形成连接结构，使连接结构末端最接近这对半导体晶片的面缘平面，并与导电板上附着的半导体晶片的面缘平面相对。
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