[发明专利]一种肖特基半导体元件的检测方法有效

专利信息
申请号: 201210181109.0 申请日: 2012-06-04
公开(公告)号: CN102707216A 公开(公告)日: 2012-10-03
发明(设计)人: 陈小华;王毅 申请(专利权)人: 扬州扬杰电子科技股份有限公司
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26
代理公司: 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 代理人: 董建林
地址: 225008 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种肖特基半导体元件的检测方法。涉及对肖特基半导体元件电性能的检测方法。提供了一种能够自动实现优劣判断,进而提高产品质量检验效率及检验精度的肖特基半导体元件的检测方法。本发明的方法按以下步骤进行:1)测合格品比较值;2)测不不合格品比较值;3)对被检测品进行检测;4)比较被测品因变量D和合格品应变量d,D<d时为合格品,其余为不合格品。本发明首先利用合格品测定合格比较值,即合格应变量;然后利用不合格品测定异常曲线上线点;最后,对批量产品进行伏安特性检测,获得多个电压数值,对多个电压数值进行应变量计算,取其中最大应变量与合格应变量进行比较;最终判断产品合格与否。
搜索关键词: 一种 肖特基 半导体 元件 检测 方法
【主权项】:
一种肖特基半导体元件的检测方法,其特征在于,按以下步骤进行:1)、测合格品比较值;1.1)、取合格的所述肖特基半导体元件,人工测定反向漏电值a;1.2)、对所述合格元件,在反向漏电值a以下,设定每次减小的漏电数值b和测试次数N,其中a>b×N;检测其电压值VR1~VRN;并按以下规则得出合格品应变量,d=MAX{|(VRN‑VRN‑1)-(VRN‑1‑VRN‑2)︱,……︱(VR3‑VR2)-(VR2‑VR1)︱},取最大电压差值的变化量,得合格品因变量d;2)、测不不合格品比较值;2.1)、取不合格的所述肖特基半导体元件,人工测定其伏安曲线异常位置部分的异常曲线上限点e;2.2)、比较反向漏电值a与异常曲线上限点e;取其中数值大的值的待用;3)、对被检测品进行检测;3.1)、设定每次减小的漏电数值B和测试次数C,其中x>B×C;3.2)、测定数值;对被检测品,以所述数值大的值为顶点值,逐个按前述的漏电数值B、测试次数C进行检测,对应每次检测的漏电数值B得出C个电压值VR1~VRc;3.3)、得出所述被测品因变量D,将前述得出的C个电压值VR1~VRc按以下规则得出被检测品应变量D,D=MAX{︱(VRc‑VRc‑1)-(VRc‑1‑VRc‑2)︱,……︱(VR3‑VR2)-(VR2‑VR1)︱};取其中最大电压差值的变化量,得被测品因变量D;4)、比较被测品因变量D和合格品应变量d,D<d时为合格品,其余为不合格品。
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