[发明专利]一种肖特基半导体元件的检测方法

权利要求书

1.一种肖特基半导体元件的检测方法，其特征在于，按以下步骤进行：

1）、测合格品比较值；

1.1）、取合格的所述肖特基半导体元件，人工测定反向漏电值a；

1.2）、对所述合格元件，在反向漏电值a以下，设定每次减小的漏电数值b和测试次数N，其中a＞b×N；检测其电压值VR₁~VR_N；并按以下规则得出合格品应变量，d=MAX｛|（VR_N-VR_N-1）－（VR_N-1-VR_N-2）︱，……︱（VR₃-VR₂）－（VR₂-VR₁）︱｝，取最大电压差值的变化量，得合格品因变量d；

2）、测不不合格品比较值；

2.1）、取不合格的所述肖特基半导体元件，人工测定其伏安曲线异常位置部分的异常曲线上限点e；

2.2）、比较反向漏电值a与异常曲线上限点e；取其中数值大的值的待用；

3）、对被检测品进行检测；

3.1）、设定每次减小的漏电数值B和测试次数C，其中x＞B×C；

3.2）、测定数值；对被检测品，以所述数值大的值为顶点值，逐个按前述的漏电数值B、测试次数C进行检测，对应每次检测的漏电数值B得出C个电压值VR₁~VR_c；

3.3）、得出所述被测品因变量D，将前述得出的C个电压值VR₁~VR_c按以下规则得出被检测品应变量D，D=MAX｛︱（VR_c-VR_c-1）－（VR_c-1-VR_c-2）︱，……︱（VR₃-VR₂）－（VR₂-VR₁）︱｝；取其中最大电压差值的变化量，得被测品因变量D；

4）、比较被测品因变量D和合格品应变量d，D＜d时为合格品，其余为不合格品。

2.根据权利要求1所述的一种肖特基半导体元件的检测方法，其特征在于，所述顶点值为所述反向漏电值a与异常曲线上限点e其中数值大的值的1-2倍。