[发明专利]一种肖特基半导体元件的检测方法

说明书

技术领域

本发明涉及对肖特基半导体元件电性能的检测方法。

技术背景

由于肖特基二极管在太阳能行业的大量使用，且使用环境较为恶劣，所以工厂内部需要对材料的曲线特性严格把关。在肖特基材料的制作过程中，由于芯片本身和制程过程中的一些因素，导致封装后材料的反向曲线会产生多种不良，比如双曲线、狗腿线、斜线，如图（双曲线如图5，在伏安曲线拐角处，出现“孤岛”，“孤岛”的两侧分别出现两根曲线；狗腿线如图3，拐角处出现两个转折点；斜线如图4，拐角处出现一个转折点。）等。目前通用的方法是通过人工测试，并依据标准对材料的电性能曲线（伏安曲线）做出人为的判断，将不良材料挑出。存在的问题是：工作量极大，导致生产效率低下，生产成本增高。（DVZ测试主要为在良品材料的击穿点往上取两个电流值IZ1与IZ2（IZ2=10*IZ1）,然后测试对应的反向耐压VR1与VR2，两个值相减观察差值。此种测试方法主要针对普通高压硅整流二极管，来观察产品的雪崩特性以及大的曲线不良材料，但无法观察材料是否存在均匀的参数变化情况）

发明内容

本发明针对以上问题，提供了一种能够自动实现优劣判断，进而提高产品质量检验效率及检验精度的肖特基半导体元件的检测方法。

本发明的方法按以下步骤进行：

1）、测合格品比较值；

1.1）、取合格的所述肖特基半导体元件，人工测定反向漏电值a；

1.2）、对所述合格元件，在反向漏电值a以下，设定每次减小的漏电数值b和测试次数N，其中a＞b×N；检测其电压值VR₁~VR_N；并按以下规则得出合格品应变量，d=MAX｛|（VR_N-VR_N-1）－（VR_N-1-VR_N-2）︱，……︱（VR₃-VR₂）－（VR₂-VR₁）︱｝，取最大电压差值的变化量，得合格品因变量d；

2）、测不不合格品比较值；

2.1）、取不合格的所述肖特基半导体元件，人工测定其伏安曲线异常位置部分的异常曲线上限点e；

2.2）、比较反向漏电值a与异常曲线上限点e；取其中数值大的值的待用；

3）、对被检测品进行检测；

3.1）、设定每次减小的漏电数值B和测试次数C，其中x＞B×C；

3.2）、测定数值；对被检测品，以所述数值大的值为顶点值，逐个按前述的漏电数值B、测试次数C进行检测，对应每次检测的漏电数值B得出C个电压值VR₁~VR_c；

3.3）、得出所述被测品因变量D，将前述得出的C个电压值VR₁~VR_c按以下规则得出被检测品应变量D，D=MAX｛︱（VR_c-VR_c-1）－（VR_c-1-VR_c-2）︱，……︱（VR₃-VR₂）－（VR₂-VR₁）︱｝；取其中最大电压差值的变化量，得被测品因变量D；

4）、比较被测品因变量D和合格品应变量d，D＜d时为合格品，其余为不合格品。

所述顶点值为所述反向漏电值a与异常曲线上限点e其中数值大的值的1-2倍。

本发明首先利用合格品测定合格比较值，即合格应变量；然后利用不合格品测定异常曲线上线点；最后，对批量产品进行伏安特性检测，获得多个电压数值，对多个电压数值进行应变量计算，取其中最大应变量（即相邻两电压值差值中最大的）与合格应变量进行比较；最终判断产品合格与否。本发明从实践中来，到实践中去，最大限度地提高了产品的质量检测效率和检测精度，大大降低了人员工作量，配合专门的设备能够大规模、高效地进行质量检测。

附图说明

图1是本发明的检测原理图，

图2是本发明合格品的伏安曲线图，

图3是本发明不合格品一的伏安曲线图，

图4是本发明不合格品二的伏安曲线图，

图5是本发明不合格品三的伏安曲线图；

图中水平轴线代表电压数轴，垂直轴线代表电流数轴。

具体实施方式

本发明按以下步骤实施：

1）、测合格品比较值；如图2所示；