[发明专利]超结MOSFET和二极管的集成

摘要

本发明涉及超结MOSFET和二极管的集成，具体提供一种半导体结构以及一种形成具有场效应晶体管（FET）区和肖特基区的半导体结构的方法。该半导体结构，包括第一导电类型的半导体层，延伸入半导体层中的沟槽，以及衬于每个沟槽的侧壁和底部并与半导体层形成PN结的第二导电类型的导电层。第一多个沟槽设置于场效应晶体管区中，该场效应晶体管区包括第一导电类型的主体区，在主体区中的第二导电类型的源区，以及通过栅极电介质与主体区和源区隔离的栅电极。第二多个沟槽设置于肖特基区中，其包括与第二多个沟槽的相邻沟槽之间的半导体层的台面表面相接触从而形成肖特基接触的导电材料。导电材料也与邻近第二多个沟槽上部的导电层接触。

主权项

一种半导体结构，包括：第一导电类型的半导体层；延伸入所述半导体层中的沟槽；和衬于每个沟槽的侧壁和底部并与所述半导体层形成PN结的第二导电类型的导电层，其中第一多个沟槽设置于所述半导体结构的场效应晶体管（FET）区中，所述FET区包括：所述半导体层中的所述第一导电类型的主体区；在所述主体区中的所述第二导电类型的源区；和通过栅极电介质与所述主体区和所述源区隔离的栅电极；其中第二多个沟槽设置于所述半导体结构的肖特基区中，所述肖特基区包括：与所述第二多个沟槽的相邻沟槽之间的所述半导体层的台面表面相接触从而形成肖特基接触的导电材料，所述导电材料也与邻近所述第二多个沟槽的上部的所述导电层接触。