[发明专利]缓冲单元、基板处理设备及基板处理方法有效
| 申请号： | 201210179529.5 | 申请日： | 2012-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN102810500A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 崔基熏;姜秉万;姜丙喆;张东赫 | 申请（专利权）人： | 细美事有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 韩国忠淸南道天*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种缓冲单元，所述缓冲单元包括：框架，所述框架包括底板、第一垂直板和第二垂直板，其中所述第一垂直板和所述第二垂直板在所述底板上相互隔离；第一缓冲器，在所述第一缓冲器上放置基板，所述第一缓冲器被允许在所述第一垂直板和所述第二垂直板之间翻转；及多个驱动部，所述多个驱动部设置在所述第一垂直板和所述第二垂直板外侧，并驱动所述第一缓冲器夹持和翻转放置在所述第一缓冲器上的基板。 | ||
| 搜索关键词： | 缓冲 单元 处理 设备 方法 | ||
【主权项】：
一种缓冲单元，包括：框架，所述框架包括底板、第一垂直板和第二垂直板，其中所述第一垂直板和所述第二垂直板在所述底板上相互隔离；第一缓冲器，在所述第一缓冲器上放置基板，所述第一缓冲器被允许在所述第一垂直板和所述第二垂直板之间翻转；及多个驱动部，所述多个驱动部设置在所述第一垂直板和所述第二垂直板外侧，并驱动所述第一缓冲器夹持和翻转放置在所述第一缓冲器上的基板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
