[发明专利]缓冲单元、基板处理设备及基板处理方法有效
| 申请号: | 201210179529.5 | 申请日: | 2012-05-31 |
| 公开(公告)号: | CN102810500A | 公开(公告)日: | 2012-12-05 |
| 发明(设计)人: | 崔基熏;姜秉万;姜丙喆;张东赫 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 韩国忠淸南道天*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 缓冲 单元 处理 设备 方法 | ||
1.一种缓冲单元,包括:
框架,所述框架包括底板、第一垂直板和第二垂直板,其中所述第一垂直板和所述第二垂直板在所述底板上相互隔离;
第一缓冲器,在所述第一缓冲器上放置基板,所述第一缓冲器被允许在所述第一垂直板和所述第二垂直板之间翻转;及
多个驱动部,所述多个驱动部设置在所述第一垂直板和所述第二垂直板外侧,并驱动所述第一缓冲器夹持和翻转放置在所述第一缓冲器上的基板。
2.根据权利要求1所述的缓冲单元,其中第一缓冲器包括:
第一支撑件,所述第一支撑件支撑所述基板的一个表面;及
第二支撑件,所述第二支撑件面向所述第一支撑件,并支撑放置在所述第一支撑件上的所述基板的另一表面,并且
所述驱动部包括:
旋转模块,所述旋转模块同时旋转所述第一支撑件和所述第二支撑件;及
提升模块,所述提升模块垂直移动所述第二支撑件以使所述基板被所述第一和第二支撑件夹持。
3.根据权利要求2所述的缓冲单元,其中所述旋转模块包括:
多个转子,所述多个转子被可旋转地安装在所述第一垂直板和所述第二垂直板上,且具有中空结构;
旋转驱动部,所述旋转驱动部用于旋转所述转子,
其中,所述提升模块包括:
固定在所述转子上的气缸;及
连接块,所述连接块根据所述气缸的驱动而垂直运动,并且穿过所述转子连接到所述第二支撑件。
4.根据权利要求1至3任一项所述的缓冲单元,其中所述框架还包括多个隔离盖,所述隔离盖覆盖所述第一垂直板和所述第二垂直板的外表面,以将容纳所述驱动部的驱动部空间与外部环境隔离。
5.根据权利要求4所述的缓冲单元,其中所述框架还包括进气端口,所述进气端口用于向由所述隔离盖限定的所述驱动部空间提供排气压力。
6.根据权利要求2所述的缓冲单元,其中所述第一缓冲器的旋转轴从所述基板的夹持位置的中心偏心,以使所述基板的装载位置与所述基板被翻转后所述基板的卸载位置相同。
7.根据权利要求1所述的缓冲单元,所述缓冲单元还包括第二缓冲器,所述第二缓冲器具有简单的缓冲功能而不翻转所述基板。
8.根据权利要求7所述的缓冲单元,其中所述第二缓冲器安装在所述第一垂直板和所述第二垂直板上,并被设置在所述第一缓冲器下方。
9.一种基板处理设备,包括:
索引部,所述索引部包括索引机械手和端口,在所述端口上放置有容纳基板的容器;
处理部,所述处理部设置为处理所述基板;和
缓冲单元,所述缓冲单元设置在所述索引部和所述处理部之间以翻转所述基板,其中在索引部和处理部间传递的基板暂时停留在所述缓冲单元中。
10.根据权利要求9所述的基板处理设备,其中所述缓冲单元包括:
多个第一缓冲器,在所述多个第一缓冲器上放置基板;
多个驱动部,用于翻转所述第一缓冲器;及
包括中心空间和多个驱动部空间的框架,所述中心空间包括开口的前部分和开口的后部分,且所述多个驱动部空间设置在所述中心空间的两侧,其中,所述第一缓冲器设置在所述中心空间内,所述驱动部设置在所述驱动部空间内。
11.根据权利要求10所述的基板处理设备,其中所述框架包括:
第一垂直板和第二垂直板,所述第一垂直板和第二垂直板面向彼此,且两者之间相隔有所述中心空间;
隔离盖,所述隔离盖围绕所述驱动部空间以将所述驱动部空间与外部环境隔离;及
进气端口,所述进气端口用于向所述驱动部空间提供排气压力。
12.根据权利要求10所述的基板处理设备,其中所述第一缓冲器包括:
第一支撑件,所述第一支撑件支撑基板的一个表面;
第二支撑件,所述第二支撑件面向所述第一支撑件,并支撑放置在所述第一支持件上的所述基板的另一表面,并且
所述驱动部包括:
旋转模块,所述旋转模块旋转所述第一支撑件和所述第二支撑件;及
提升模块,所述提升模块垂直移动所述第二支撑件,以使所述基板被所述第一支撑件和所述第二支撑件夹持。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





