[发明专利]缓冲单元、基板处理设备及基板处理方法有效
| 申请号: | 201210179529.5 | 申请日: | 2012-05-31 | 
| 公开(公告)号: | CN102810500A | 公开(公告)日: | 2012-12-05 | 
| 发明(设计)人: | 崔基熏;姜秉万;姜丙喆;张东赫 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 | 
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 | 
| 代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 | 
| 地址: | 韩国忠淸南道天*** | 国省代码: | 韩国;KR | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 缓冲 单元 处理 设备 方法 | ||
相关申请的交叉引用
根据35U.S.C.§119,此美国非临时专利申请要求2011年5月31日递交的申请号为10-2011-0052382及2011年8月19日递交的申请号为10-2011-0082680的韩国专利申请的优先权,它们的全部内容通过引用方式合并于此。
背景技术
此处公开的本发明涉及基板处理设备,尤其涉及光罩在其内暂时停留的缓冲单元,基板处理设备及基板处理方法。
光罩是覆盖有与微细的半导体电路相对应的图案的石英或玻璃基板。例如,涂覆在透明石英基板的上层上的铬薄层被刻蚀以形成与半导体集成电路或液晶显示器(LCD)电路相对应的图案。图案尺寸大于半导体集成电路或液晶显示器电路的尺寸1到5倍。光罩的微细图案通过光刻过程形成于基板上。在光刻过程中,光刻胶均匀的涂覆在基板上,然后使用光罩图案和诸如光刻机(stepper)的曝光装置执行按比例缩小的投影/曝光过程,然后,执行显影过程以形成二维光刻胶图案。
当外来杂质附着到光罩上时,外来杂质会在曝光过程中分散或吸收光,以至于降低了光学分辨率,从而导致在基板上形成的图案有重大缺陷。因此,作为保护构件的薄膜(pellicle)在曝光过程期间被安装在光罩上,以保护光罩免受外来杂质影响。该薄膜设置在光罩图案的上方的一定高度处,以使得即使外来杂质附着到该薄膜上,外来杂质也不会影响在曝光过程中形成在基板上的图像。
光罩可使用诸如硫酸过氧化氢混合物(SPM,sulfuric peroxide mixture)的化学品在湿法清洗设备中被清洗。当在曝光过程中使用上面附着有诸如粘合剂(adhesive)的外来杂质的光罩时,随着曝光过程的进行,外来杂质可被光催化能量逐渐培养为雾状缺陷(haze defect)。由于生长的雾状缺陷导致不希望的图案转移(transfer),需要有效地从光罩上移除诸如粘合剂的外来杂质。
当光罩装载在光罩清洗设备中时,光罩的清洗目标表面(其图样表面)可向下朝向(反向)。为了这个目的,光罩清洗设备包括用来翻转光罩的装置。由于这样的翻转装置设置在光罩清洗腔内,该翻转装置易受到由于化学烟雾导致的腐蚀,并且从驱动部处产生的微粒会污染光罩和光罩清洗腔的内部。
发明内容
本发明提供一种具有缓冲功能和翻转功能的缓冲单元,基板处理设备和基板处理方法。
本发明的目的不限于上述内容,本领域技术人员将从下面的描述中,清楚地理解本文未描述的其它目的。
本发明的实施例提供缓冲单元,所述缓冲单元包括:框架,所述框架包括底板、第一垂直板和第二垂直板,其中所述第一垂直板和所述第二垂直板在所述底板上相互隔离;第一缓冲器,在所述第一缓冲器上放置基板,所述第一缓冲器被允许在所述第一和所述第二垂直板之间翻转;及多个驱动部,所述多个驱动部设置在所述第一和第二垂直板外侧,并驱动所述第一缓冲器夹持和翻转放置在所述第一缓冲器上的基板。
在一些实施例中,所述第一缓冲器可包括:第一支撑件,所述第一支撑件用来支撑所述基板的一个表面;及第二支撑件,所述第二支撑件面向所述第一支撑件,并支撑放置在所述第一支撑件上的所述基板的另一表面,并且所述驱动部可包括:旋转模块,所述旋转模块同时旋转所述第一支撑件和所述第二支撑件;及提升模块,所述提升模块垂直移动所述第二支撑件以使所述基板被所述第一和第二支撑件夹持。
在其他实施例中,所述旋转模块可包括:多个转子(rotators),所述多个转子被可旋转地安装在所述第一垂直板和所述第二垂直板上,且具有中空结构;旋转驱动部,所述旋转驱动部用于旋转所述转子,其中所述提升模块包括:固定在所述转子上的气缸;及连接块,所述连接块根据所述气缸的驱动而垂直运动,并且穿过所述转子连接到所述第二支撑件。
仍然在其他实施例中,所述框架还包括多个隔离盖,所述隔离盖覆盖所述第一垂直板和所述第二垂直板的外表面,以将容纳所述驱动部的驱动部空间与外部环境隔离。
仍然在其他实施例中,所述框架还包括进气端口,所述进气端口用于向由所述隔离盖限定的所述驱动部空间提供排气压力。
仍然其他实施例中,所述第一缓冲器的旋转轴可从所述基板的夹持位置的中心偏心(eccentric),以使所述基板的装载位置与所述基板被翻转后所述基板的卸载位置相同。
在又一些实施例中,所述缓冲单元可还包括第二缓冲器,所述第二缓冲器具有简单的缓冲功能而不翻转所述基板。
在又一些实施例中,所述第二缓冲器可安装在所述第一垂直板和所述第二垂直板上,并被设置在所述第一缓冲器下方。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





