[发明专利]用于动态随机存取存储器的去耦电容值校准装置及方法有效

专利信息
申请号: 201210176363.1 申请日: 2012-05-31
公开(公告)号: CN103187098A 公开(公告)日: 2013-07-03
发明(设计)人: 达林詹姆斯·道德林;布雷特罗伯特·戴尔 申请(专利权)人: 南亚科技股份有限公司
主分类号: G11C29/00 分类号: G11C29/00;G11C11/4063
代理公司: 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 代理人: 江耀纯
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开了一种去耦电容值校准装置和去耦电容值校准方法。所述去耦电容值校准装置包含有多个电容、去耦比特状态校准电路及电压检测器。所述多个电容电连接于电源与逻辑电路之间的端点。所述多个电容彼此并联、具有多个电容值、用以进行去耦,以及依据多个输入来被独立地启用或停用。所述去耦比特状态校准电路用以因应判断信号来更新所述多个输入。所述电压检测器用以在所述多个电容的输出端检测电压,以及对所述输出端的所述电压与参考电压进行电压比较。所述去耦电容值校准装置因应所述电压比较来产生所述判断信号。所述去耦电容值校准装置和所述去耦电容值校准方法可准确地决定适合动态随机存取存储器操作的去耦电容值。
搜索关键词: 用于 动态 随机存取存储器 电容 校准 装置 方法
【主权项】:
一种用于一动态随机存取存储器的去耦电容值校准装置,其特征在于,包含:多个电容,电连接于一逻辑电路,用以接收一电源电压及进行去耦,其中所述多个电容彼此并联,具有多个电容值,并且依据多个比特状态输入来分别被独立地启用或停用;一去耦比特状态校准电路,用以因应一判断信号来选择性地更新所述多个比特状态输入;以及一电压检测器,电连接于所述多个电容及所述去耦比特状态校准电路,用以接收一参考电压,于所述多个电容的一输出端接收一电压,并且比较所述参考电压与所述电压以赋能所述判断信号的产生。
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