[发明专利]用于动态随机存取存储器的去耦电容值校准装置及方法

说明书

技术领域

本发明涉及动态随机存取存储器，特别涉及一种具有去耦电容值校准电路的动态随机存取存储器。

背景技术

动态随机存取存储器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）的操作会依据其所执行的程序（process）来使用不同大小的电源电流值。为了确保动态随机存取存储器在正常操作下不会发生高电压降（large voltage drop）的情形，通常会设计对应所预期的最高电压降的去耦电容值（decoupling capacitance，decap）于其中，因而允许储备电荷，使得在较高电流的操作情形下，降低对电源（power supply）的需求。

然而，随着半导体（semiconductor）技术的发展，动态随机存取存储器逐渐用于低功耗（low power）操作。在低功耗的动态随机存取存储器的设计中，多个局部的电压功耗域（local voltage power domain）可能会在省电模式（power down mode）时被关闭。当离开省电模式时，较高的去耦电容值可能会使动态随机存取存储器需要一段较长的时间来将这些局部的电压功耗域域重新启动。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种具有可变去耦电容值的动态随机存取存储器，以在不同的特定应用中决定出适当的去耦电容值。

依据本发明的一实施例，其提供一种用于一动态随机存取存储器的去耦电容值校准装置。所述去耦电容值校准装置包含多个电容、一去耦比特状态校准电路以及一电压检测器。所述多个电容电连接于一电源与一逻辑电路之间的一端点，其中所述多个电容彼此并联，具有多个电容值，用以进行去耦，并且依据多个输入来被独立地启用或停用。去耦比特状态校准电路用以因应一判断信号来更新所述多个输入。所述电压检测器用以在所述多个电容的一输出端检测一电压，以及对所述输出端的所述电压与一参考电压进行一电压比较，其中所述去耦电容值校准装置因应所述电压比较来产生所述判断信号。

依据本发明的另一实施例，其提供一种用于一动态随机存取存储器的去耦电容值校准方法。所述去耦电容值校准方法包含：提供具有一电压的多个去耦电容，其中所述电压来自于一电源电压，以及所述多个电容彼此并联，具有多个电容值，并且用以进行去耦；分别提供多个比特状态输入予所述多个电容，其中所述多个比特状态输入分别独立地启用或停用所述多个电容；产生一参考电压；将所述多个电容的一输出端的一电压与所述参考电压进行比较以赋能一判断信号的产生；以及因应所述判断信号来选择性地更新所述多个比特状态输入。

依据本发明的又一实施例，其提供一种用于一动态随机存取存储器的去耦电容值校准装置。所述去耦电容值校准装置包含多个去耦电容、一去耦比特状态校准电路以及一电压检测器。所述多个电容电连接于一逻辑电路，用以接收一供应电压及进行去耦，其中所述多个电容彼此并联，具有多个电容值，并且依据多个比特状态输入来分别被独立地启用或停用。所述去耦比特状态校准电路用以因应一判断信号来选择性地更新所述多个比特状态输入。所述电压检测器电连接于所述多个电容及所述去耦比特状态校准电路，用以接收一参考电压、于所述多个电容的一输出端接收一电压，以及比较所述参考电压与所述电压以赋能所述判断信号的产生。

依据本发明的再一实施例，其提供一种用于一动态随机存取存储器的去耦电容值校准装置。所述去耦电容值校准装置包含一逻辑电路、一电源、多个电容、一去耦比特状态校准电路、一电压检测器以及一错误判断电路。所述电源供应器用以提供一电压予所述逻辑电路。所述多个电容电连接于所述电源与一逻辑电路之间的一端点，其中所述多个电容为多个开关电容，彼此并联，具有多个电容值，用以进行去耦，并且依据多个比特状态输入来被独立地启用或停用。所述去耦比特状态校准电路用以因应一判断信号来更新所述多个比特状态输入。所述电压检测器电连接于所述多个电容之间的一端点以及所述去耦比特状态校准电路，用以于所述多个电容的一输出端检测一电压，以及对所述输出端的所述电压与一参考电压进行一电压比较。所述错误判断电路电连接于所述电压检测器与所述去耦比特状态校准电路之间，用以因应所述电压比较来产生所述判断信号。

本发明所提供的校准方式允许动态随机存取存储器系统满足所设定的电压降目标值，而不会产生妨碍电源电压重新启动的额外去耦电容，因此，本发明所提供的用于动态随机存取存储器的去耦电容值校准装置及其相关的校准方法，可准确地决定适合动态随机存取存储器操作的去耦电容值，其中所述校准方法可于对动态随机存取存储器进行测试的期间中执行。

附图说明