[发明专利]用于动态随机存取存储器的去耦电容值校准装置及方法

权利要求书

1.一种用于一动态随机存取存储器的去耦电容值校准装置，其特征在于，包含：

多个电容，电连接于一逻辑电路，用以接收一电源电压及进行去耦，其中所述多个电容彼此并联，具有多个电容值，并且依据多个比特状态输入来分别被独立地启用或停用；

一去耦比特状态校准电路，用以因应一判断信号来选择性地更新所述多个比特状态输入；以及

一电压检测器，电连接于所述多个电容及所述去耦比特状态校准电路，用以接收一参考电压，于所述多个电容的一输出端接收一电压，并且比较所述参考电压与所述电压以赋能所述判断信号的产生。

2.如权利要求1所述的去耦电容值校准装置，其特征在于，还包含：

一错误判断电路，电连接于所述电压检测器与所述去耦比特状态校准电路之间，其中当所述多个电容的所述输出端所接收的所述电压小于所述参考电压时，一电平变换操作执行于所述电压检测器的一输出端，以及所述错误判断电路用以因应所述电平变换操作来产生一指示错误的判断信号。

3.如权利要求2所述的去耦电容值校准装置，其特征在于，所述去耦比特状态校准电路一开始将所述多个电容的全部的所述多个比特状态输入均设为零，以及每当所述去耦比特状态校准电路接收到所述指示错误的判断信号时，所述去耦比特状态校准电路便二进制地更新所述多个电容的所述多个比特状态输入。

4.如权利要求3所述的去耦电容值校准装置，其特征在于，每当所述去耦比特状态校准电路二进制地更新所述多个电容的所述多个比特状态输入时，一复位信号会被传送到所述错误判断电路。

5.如权利要求2所述的去耦电容值校准装置，其特征在于，当所述多个电容的所述输出端所接收的所述电压大于所述参考电压时，所述错误判断电路产生一指示通过的判断信号，以及所述多个电容依据所述多个比特状态输入所提供的一去耦电容值会被维持。

6.一种用于一动态随机存取存储器的去耦电容值校准方法，其特征在于，包含：

提供具有一电压的多个电容，其中所述电压来自于一电源电压，以及所述多个电容彼此并联，具有多个电容值，并且用以进行去耦；

分别提供多个比特状态输入予所述多个电容，其中所述多个比特状态输入分别独立地启用或停用所述多个电容；

产生一参考电压；

将所述多个电容的一输出端的一电压与所述参考电压进行比较以赋能一判断信号的产生；以及

因应所述判断信号来选择性地更新所述多个比特状态输入。

7.如权利要求6所述的去耦电容值校准方法，其特征在于，将所述多个电容的所述输出端的所述电压与所述参考电压进行比较以赋能所述判断信号的产生的步骤包含：

当所述多个电容的所述输出端的所述电压小于所述参考电压时，产生一指示错误的判断信号。

8.如权利要求7所述的去耦电容值校准方法，其特征在于，分别提供所述多个比特状态输入予所述多个电容的步骤包含：

一开始将所述多个电容的全部的所述多个比特状态均设为零；以及

因应所述判断信号来选择性地更新所述多个比特状态输入的步骤包含：

当所述指示错误的判断信号被产生时，二进制地更新所述多个电容的所述多个比特状态输入。

9.如权利要求8所述的去耦电容值校准方法，其特征在于，更新所述多个比特状态输入的步骤还包含：

产生一复位信号以复位所述指示错误的判断信号。

10.如权利要求6所述的去耦电容值校准方法，其特征在于，将所述多个电容的所述输出端的所述电压与所述参考电压进行比较以赋能所述判断信号的产生的步骤包含：

当所述多个电容的所述输出端的所述电压大于所述参考电压时，产生一指示通过的判断信号；以及

维持所述多个电容依据所述多个比特状态输入所提供的一去耦电容值。