[发明专利]GaAs基板超小尺寸LED芯片的切割方法有效
| 申请号： | 201210176153.2 | 申请日： | 2012-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN102709171A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 陈昆男;许智源;王湘军;戴世攀;周晓莉;方飞;周凯 | 申请（专利权）人： | 东莞洲磊电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L33/00 |
| 代理公司： | 东莞市华南专利商标事务所有限公司 44215 | 代理人： | 雷利平 |
| 地址： | 523590 广东省东莞市谢*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了GaAs基板超小尺寸LED芯片的切割方法，GaAs基板超小尺寸LED芯片的切割方法，首先，在芯片表面先实行全面微切的步骤，半切的深度为芯片总体高度的10%～20%；然后，对芯片进行全透切割的步骤，即将半切后的芯片放置于切割机台上，用钻石刀将芯片从边沿开始沿切割道进行彻底分离的切割。本发明的切割新工艺，在芯片表面先实行全面微切的工艺，然后完成全透切割，采用半切的深度为芯片总体高度的10%～20%，钻石刀刀刃的宽度为15μm～25μm，在最大程度上保证在切割过程中不发生崩裂，侧裂等不良现象，在超小尺寸的GaAs基四元晶粒上具有创造性的革新，极大的提高了成品的良率及降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | gaas 基板超小 尺寸 led 芯片 切割 方法 | ||
【主权项】：
GaAs基板超小尺寸LED芯片的切割方法，其特征在于，首先，在芯片表面先实行全面微切的步骤，即将整片芯片正极朝上，放置于切割机台上，用钻石刀将所述芯片正极表面先纵向半切，再横向半切，形成纵横交错的切割道，所述切割道将每个等间距排列的正极端分隔开，所述半切的深度为芯片总体高度的10%～20%；然后，对芯片进行全透切割的步骤，即将半切后的芯片放置于切割机台上，用钻石刀将所述芯片从边沿开始沿切割道进行彻底分离的切割。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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