[发明专利]GaAs基板超小尺寸LED芯片的切割方法

权利要求书

1.GaAs基板超小尺寸LED芯片的切割方法，其特征在于，

首先，在芯片表面先实行全面微切的步骤，即将整片芯片正极朝上，放置于切割机台上，用钻石刀将所述芯片正极表面先纵向半切，再横向半切，形成纵横交错的切割道，所述切割道将每个等间距排列的正极端分隔开，所述半切的深度为芯片总体高度的10%～20%；

然后，对芯片进行全透切割的步骤，即将半切后的芯片放置于切割机台上，用钻石刀将所述芯片从边沿开始沿切割道进行彻底分离的切割。

2.根据权利要求1所述的GaAs基板超小尺寸LED芯片的切割方法，其特征在于：所述半切处理采用钻石刀，所述钻石刀的切割速度为50mm/s以上，所述钻石刀刀刃的宽度为15μm～25μm。

3.根据权利要求1所述的GaAs基板超小尺寸LED芯片的切割方法，其特征在于：所述全透切割时钻石刀的切割速度为20mm/s以上。

4.根据权利要求1所述的GaAs基板超小尺寸LED芯片的切割方法，其特征在于：所述全透切割的步骤需使用经过使用、切割过300m以上的钻石刀。

5.根据权利要求1所述的GaAs基板超小尺寸LED芯片的切割方法，其特征在于：所述全透切割开始切割芯片的边缘区域时钻石刀使用中高速为20 mm/s～25mm/s，然后切割中部时钻石刀需达到高速为30 mm/s～35mm/s，最后靠近边缘区域时钻石刀的切割速度再降为20 mm/s～25mm/s。

6. 根据权利要求5所述的GaAs基板超小尺寸LED芯片的切割方法，其特征         

在于：所述边缘区域为沿切割方向最长所述切割道，从芯片的外缘到所述切割道约四分之一处，做垂直于最长所述切割道的直线，所述直线与芯片劣弧边缘组成的区域。