[发明专利]GaAs基超薄芯片的制作方法有效
| 申请号： | 201210176151.3 | 申请日： | 2012-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN102709408A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 陈昆男;许智源;王湘军;戴世攀;周晓莉;方飞 | 申请（专利权）人： | 东莞洲磊电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 东莞市华南专利商标事务所有限公司 44215 | 代理人： | 雷利平 |
| 地址： | 523590 广东省东莞市谢*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了GaAs基超薄芯片的制作方法，GaAs基超薄芯片包括基板和磊晶层，先对基板的下表面进行第一次蚀刻；在磊晶层蒸镀加工出正电极，对由磊晶层和正电极形成的上表面进行上蜡处理；然后对基板的下表面进行二次蚀刻，将基板减薄至100μm±20μm，对磊晶层和正电极形成的上表面下蜡清洗处理后，对基板的下表面蒸镀加工出负电极。此超薄芯片将不需要人为切破，从而避免在黃光微影工序中由于芯片过于翘曲，不能与机台贴合，影响芯片充分曝光，而被迫切一为四，同时避免了由于破片过多而造成的混料、破片、报废等异常，具有破片少，报废少，良率高，质量高的特点，达到了业內同类产品先进的水平，极大的降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | gaas 超薄 芯片 制作方法 | ||
【主权项】：
GaAs基超薄芯片的制作方法，GaAs基超薄芯片包括基板和磊晶层，所述基板的上表面磊晶有磊晶层，其特征在于：先对基板的下表面进行第一次蚀刻，将基板减薄至200μm±20μm；再在磊晶层蒸镀加工出正电极，对由磊晶层和正电极形成的上表面进行上蜡处理；然后对基板的下表面进行二次蚀刻，将基板减薄至100μm±20μm，对磊晶层和正电极形成的上表面下蜡清洗处理后，对基板的下表面蒸镀加工出负电极。
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