[发明专利]GaAs基超薄芯片的制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及GaAs基超薄芯片，具体的说，涉及一种GaAs基超薄芯片的制作方法，属于LED芯片的技术领域。

背景技术

作为四元系红黄光LED 芯片的衬底材料，GaAs基优势明显。GaAs基的化学性质十分稳定，而且与四元材料晶格匹配良好，具有导电性、导热性均良好的特点。另一方面，GaAs基本身也是十分重要的半导体材料，在制造成本和制造尺寸方面优势都很明显。

然而，同类产品中有关GaAs基的制作方法基本上均是采取直接蚀刻减薄至100μm，然后先制作负极金属层，高温合金工序后再制作正极金属层，芯片由于一次性蚀刻减薄至100μm会导致GaAs基板严重翘曲，在制作正极金属层时，由于需要进行光刻工序，而翘曲度太大导致无法在曝光机台对准光罩，而不得不采取人为切片的作业方式，然而，通过这种传统方法做出来的产品，不仅费时费力，而且产品的良率只有正常200μm厚度芯片良率的50%，损失巨大，不便于市场上的普及与推广。

发明内容

本发明克服了现有技术中的缺点，提供了一种GaAs基超薄芯片的制作方法，具有少破片、高效率、高质量、高良率的优良特征，是目前生产GaAs基超薄芯片的最优化的制作方法。

为了解决上述技术问题，本发明是通过以下技术方案实现的：

GaAs基超薄芯片的制作方法，GaAs基超薄芯片包括基板和磊晶层，基板的上表面磊晶有磊晶层，先对基板的下表面进行第一次蚀刻，将基板减薄至200μm±20μm；再在磊晶层蒸镀加工出正电极，对由磊晶层和正电极形成的上表面进行上蜡处理；然后对基板的下表面进行二次蚀刻，将基板减薄至100μm±20μm，对磊晶层和正电极形成的上表面下蜡清洗处理后，对基板的下表面蒸镀加工出负电极。

进一步，在对基板的下表面进行第一次蚀刻之前，先对磊晶层进行磨边处理。

进一步，上蜡处理包括依次进行的上蜡平坦化工序以及冷却工序。

进一步，上蜡平坦化工序是采用4kg的翻转压盘进行，在具有冷却系统的翻转压盘上的冷却时间为5分钟以上，并需进行芯片背面的清洗工序。

进一步，上蜡处理的蜡层厚度为5μm。

进一步，下蜡清洗处理是采用无尘纸沾拭IPA溶液，对芯片背面及蚀刻台面进行去蜡的清洁。

进一步，下蜡清洗处理包括一次清洗和二次清洗，一次清洗包括芯片在加热至沸腾的去蜡溶液浸泡5分钟，直至芯片移动，然后进行二次清洗，二次清洗为用毛刷沾冷脱剂，并清扫芯片表面30秒，在快排冲洗槽里面用高纯水冲洗10分钟以上。

进一步，蒸镀使用电子束溅镀及钨舟热蒸镀的方式。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：

通过本发明的生产方法，此超薄芯片将不需要人为切破，从而避免在黃光微影工序中由于芯片过于翘曲，不能与机台贴合，影响芯片充分曝光，而被迫切一为四，同时避免了由于破片过多而造成的混料、破片、报废等异常，具有破片少，报废少，良率高，质量高的特点，达到了业內同类产品先进的水平，极大的降低了生产成本。

附图说明

附图用来提供对本发明的进一步理解，与本发明的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制，在附图中：

图1是本发明GaAs基超薄芯片加工出正电极后的结构示意图；

图2是本发明GaAs基超薄芯片二次蚀刻后的结构示意图；

图3是本发明GaAs基超薄芯片加工出负电极后的结构示意图。

其中，1——磊晶层；    

2——基板；

3——正电极；

4——负电极。

具体实施方式

以下结合附图对本发明的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明，并不用于限定本发明。 

GaAs基超薄芯片的制作方法，具体如下：

A、参见图1，先对基板2的下表面进行第一次蚀刻，将基板2减薄至200μm±20μm，在对基板2的下表面进行减薄之前应先对芯片进行磨边处理 ；

B、参见图3，再在磊晶层1上蒸镀加工出正电极3，尽量保持芯片为圆片，此将有利于后续二次蚀刻；

C、对由磊晶层1和正电极3形成的上表面进行上蜡处理，保护已镀好的正电极3，上蜡工序包括依次进行的上蜡平坦化的工序及冷却工序,上蜡平坦化的工序采用4kg的翻转压盘进行，在具有冷却系統的翻转压盘上的冷却时间为5分钟以上，并需进行芯片背面的清洗工序,上蜡工序的蜡层厚度为5μm；