[发明专利]GaAs基超薄芯片的制作方法

权利要求书

1.GaAs基超薄芯片的制作方法，GaAs基超薄芯片包括基板和磊晶层，所述基板的上表面磊晶有磊晶层，其特征在于：先对基板的下表面进行第一次蚀刻，将基板减薄至200μm±20μm；再在磊晶层蒸镀加工出正电极，对由磊晶层和正电极形成的上表面进行上蜡处理；然后对基板的下表面进行二次蚀刻，将基板减薄至100μm±20μm，对磊晶层和正电极形成的上表面下蜡清洗处理后，对基板的下表面蒸镀加工出负电极。

2.根据权利要求1所述的GaAs基超薄芯片的制作方法，其特征在于：在对基板的下表面进行第一次蚀刻之前，先对磊晶层进行磨边处理。

3.根据权利要求1所述的GaAs基超薄芯片的制作方法，其特征在于：所述上蜡处理包括依次进行的上蜡平坦化工序及冷却工序。

4.根据权利要求3所述的GaAs基超薄芯片的制作方法，其特征在于：所述上蜡平坦化工序是采用4kg的翻转压盘进行，在具有冷却系统的翻转压盘上的冷却时间为5分钟以上，并需进行芯片背面的清洗工序。

5.根据权利要求1所述的GaAs基超薄芯片的制作方法，其特征在于：所述上蜡处理的蜡层厚度为5μm。

6.根据权利要求1所述的GaAs基超薄芯片的制作方法，其特征在于：所述下蜡清洗处理是采用无尘纸沾拭IPA溶液，对芯片背面及蚀刻台面进行去蜡的清洁。

7.根据权利要求1所述的GaAs基超薄芯片的制作方法，其特征在于：所述下蜡清洗处理包括一次清洗和二次清洗，所述一次清洗包括芯片在加热至沸腾的去蜡溶液浸泡5分钟，直至芯片移动，然后进行二次清洗，所述二次清洗为用毛刷沾冷脱剂，并清扫芯片表面30秒，在快排冲洗槽里面用高纯水冲洗10分钟以上。

8.根据权利要求1所述的GaAs基超薄芯片的制作方法，其特征在于：所述蒸镀使用电子束溅镀及钨舟热蒸镀的方式。