[发明专利]一种CMOS器件及其制作方法

摘要

本发明提供一种CMOS器件及其制作方法，于具有SiO2层的Si衬底中分别形成第一深度的第一凹槽及大于所述第一深度的第二深度的第二凹槽，于所述第一凹槽及第二凹槽内分别形成Ge层、止刻层以及Ⅲ-Ⅴ族半导体层，然后采用选择性腐蚀技术刻蚀上述结构至所述第一凹槽内的Ge层，并使所述Ge层、SiO2层及Ⅲ-Ⅴ族半导体层处于同一平面，最后在所述Ge层上制作PMOS器件，在所述Ⅲ-Ⅴ族半导体层上制作NMOS器件以完成所述CMOS器件的制作。本发明只需在外延后通过选择性腐蚀工艺及抛光工艺即可获得具有Ge层及Ⅲ-Ⅴ族半导体层混合材料沟道的衬底，工艺简单，有利于降低成本；在该衬底上制备CMOS器件，具有较高的工作速度，有利于提高器件的性能。

主权项

一种CMOS器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法至少包括步骤：1）提供一Si衬底，并于所述Si衬底上形成具有第一厚度的SiO2层；2）刻蚀所述SiO2层及Si衬底，形成至少一个达到第一深度的第一凹槽；并刻蚀所述SiO2层及Si衬底，形成至少一个达到第二深度的第二凹槽，且所述第二深度大于所述第一深度；3）于所述第一凹槽及第二凹槽内形成Ge层，且使所述第一凹槽内的Ge层的上表面高于所述Si衬底的上表面，所述第二凹槽内的Ge层的上表面低于所述Si衬底的上表面；4）于所述Ge层表面形成止刻层；5）于所述止刻层表面形成Ⅲ‑Ⅴ族半导体层，且使所述第二凹槽内的Ⅲ‑Ⅴ族半导体层的上表面高于所述第一凹槽内的Ge层的上表面；6）刻蚀上述所得结构的表面直至露出所述第一凹槽内的Ge层，并使所述Ge层、SiO2层及Ⅲ‑Ⅴ族半导体层的上表面处于同一平面；7）于所述Ge层制备PMOS器件，于所述Ⅲ‑Ⅴ族半导体层制备NMOS器件。