[发明专利]互补型金属氧化物半导体管的形成方法

摘要

一种互补型金属氧化物半导体管的形成方法，包括：提供包括相邻的第一区域和第二区域的半导体衬底，半导体衬底表面形成有绝缘层，分别贯穿第一区域绝缘层的第一开口和第二区域绝缘层的第二开口，且第一开口的底部和侧壁形成有第一功能层、与绝缘层表面齐平的第一牺牲层；形成第二功能层，第二功能层不仅位于第二开口的底部和侧壁，还覆盖绝缘层和第一牺牲层表面；形成位于第二区域的第二牺牲层；在同一步骤中去除第一区域的第二功能层、第一牺牲层和第二牺牲层；形成覆盖第一功能层的第一栅电极层和覆盖第二功能层的第二栅电极层。本发明实施例形成的CMOS管的栅极高度与设计高度相同，工艺步骤简单，CMOS管的性能稳定。

主权项

一种互补型金属氧化物半导体管的形成方法，其特征在于，包括：提供包括相邻的第一区域和第二区域的半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有绝缘层，且所述第一区域具有贯穿所述绝缘层的第一开口，所述第一开口的底部和侧壁形成有第一功能层，所述第一功能层表面覆盖有第一牺牲层，所述第一牺牲层与所述绝缘层表面齐平，所述第二区域具有贯穿所述绝缘层的第二开口；形成第二功能层，所述第二功能层覆盖所述第二开口的底部和侧壁、绝缘层表面以及第一牺牲层表面；形成第二牺牲层，所述第二牺牲层覆盖第二区域中的绝缘层和第二功能层；去除所述第一区域的第二功能层和第一牺牲层，并去除所述第二区域的第二牺牲层，暴露出第一开口内的第一功能层和第二区域的第二功能层；去除第一牺牲层和第二牺牲层后，形成覆盖所述第一功能层的第一栅电极层，形成覆盖所述第二功能层的第二栅电极层，且所述第一栅电极层和第二栅电极层与所述绝缘层表面齐平。