[发明专利]互补型金属氧化物半导体管的形成方法

权利要求书

1.一种互补型金属氧化物半导体管的形成方法，其特征在于，包括：

提供包括相邻的第一区域和第二区域的半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有绝缘层，且所述第一区域具有贯穿所述绝缘层的第一开口，所述第一开口的底部和侧壁形成有第一功能层，所述第一功能层表面覆盖有第一牺牲层，所述第一牺牲层与所述绝缘层表面齐平，所述第二区域具有贯穿所述绝缘层的第二开口；

形成第二功能层，所述第二功能层覆盖所述第二开口的底部和侧壁、绝缘层表面以及第一牺牲层表面；

形成第二牺牲层，所述第二牺牲层覆盖第二区域中的绝缘层和第二功能层；

去除所述第一区域的第二功能层和第一牺牲层，并去除所述第二区域的第二牺牲层，暴露出第一开口内的第一功能层和第二区域的第二功能层；

去除第一牺牲层和第二牺牲层后，形成覆盖所述第一功能层的第一栅电极层，形成覆盖所述第二功能层的第二栅电极层，且所述第一栅电极层和第二栅电极层与所述绝缘层表面齐平。

2.如权利要求1所述的互补型金属氧化物半导体管的形成方法，其特征在于，

所述第一功能层和第二功能层的材料为氮化钛、钽、氮化钽、铝化钛、钛、钴或镍中的一种或多种组合，且所述第一功能层的材料与所述第二功能层的材料不同。

3.如权利要求1所述的互补型金属氧化物半导体管的形成方法，其特征在于，化学机械抛光所述第一牺牲层时的抛光速率大于所述绝缘层的抛光速率。

4.如权利要求1所述的互补型金属氧化物半导体管的形成方法，其特征在于，所述第一牺牲层的材料为多晶硅、多晶锗硅或无定型硅。

5.如权利要求1所述的互补型金属氧化物半导体管的形成方法，其特征在于，所述第二牺牲层的刻蚀速率大于所述绝缘层的刻蚀速率。

6.如权利要求5所述的互补型金属氧化物半导体管的形成方法，其特征在于，所述第二牺牲层的刻蚀速率与所述第一牺牲层的刻蚀速率相同。

7.如权利要求5所述的互补型金属氧化物半导体管的形成方法，其特征在于，所述第二牺牲层的材料为光刻胶，后续去除所述第二牺牲层的方法为包含氧气的灰化工艺。

8.如权利要求1所述的互补型金属氧化物半导体管的形成方法，其特征在于，所述第一牺牲层的形成工艺为物理或化学气相沉积。

9.如权利要求8所述的互补型金属氧化物半导体管的形成方法，其特征在于，所述化学气相沉积的功率小于400瓦。

10.如权利要求1所述的互补型金属氧化物半导体管的形成方法，其特征在于，去除所述第二区域的第二牺牲层的工艺为干法刻蚀工艺。

11.如权利要求10所述的互补型金属氧化物半导体管的形成方法，其特征在于，所述干法刻蚀工艺采用的刻蚀气体为含氟或含氯的气体，刻蚀的偏置功率小于200瓦。

12.如权利要求1所述的互补型金属氧化物半导体管的形成方法，其特征在于，还包括：形成第一栅介质层和第二栅介质层，所述第一栅介质层形成于所述第一开口的底部和第一功能层之间，所述第二栅介质层形成于所述第二开口的底部和第二功能层之间。

13.如权利要求12所述的互补型金属氧化物半导体管的形成方法，其特征在于，还包括：形成第一界面层和第二界面层，所述第一界面层形成于半导体衬底和第一栅介质层之间，所述第二界面层形成与半导体衬底和第二栅介质层之间。

14.如权利要求12所述的互补型金属氧化物半导体管的形成方法，其特征在于，还包括：形成第一保护层和第二保护层，所述第一保护层形成于所述第一栅介质层表面，所述第二保护层形成于所述第二栅介质层表面。

15.如权利要求14所述的互补型金属氧化物半导体管的形成方法，其特征在于，所述第一保护层和第二保护层的材料为氮化钛、或氮化钽、或两者的组合。