[发明专利]光刻掩膜版的良率提升方法无效
| 申请号： | 201210170234.1 | 申请日： | 2012-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN103454854A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 陈福成 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光刻掩膜版的良率提升方法，该方法是在光刻亚分辨率辅助图形上增加支撑图形。该方法通过在光刻亚分辨率辅助图形上增加一些小的支撑图形，使光刻胶在局部形成比较大的光刻胶形貌，从而增加了光刻胶与衬底的粘附力，避免了光刻胶倒塌，达到了提升光刻版良率的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 掩膜版 提升 方法 | ||
【主权项】：
光刻掩膜版的良率提升方法，其特征在于，在光刻亚分辨率辅助图形上增加支撑图形。
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