[发明专利]光刻掩膜版的良率提升方法无效
| 申请号： | 201210170234.1 | 申请日： | 2012-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN103454854A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 陈福成 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光刻 掩膜版 提升 方法 | ||
【权利要求书】：
1.光刻掩膜版的良率提升方法，其特征在于，在光刻亚分辨率辅助图形上增加支撑图形。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述支撑图形环绕光刻亚分辨率辅助图形放置，或放置在光刻亚分辨率辅助图形的一边。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，支撑图形与支撑图形之间在沿光刻亚分辨率辅助图形的线条方向的距离为10～50纳米。
4.根据权利要求1至3中任何一项所述的方法，其特征在于，所述支撑图形上，靠近光刻亚分辨率辅助图形的边的尺寸大于远离光刻亚分辨率辅助图形的边的尺寸。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述支撑图形上，靠近光刻亚分辨率辅助图形的边的尺寸为光刻亚分辨率辅助图形宽度的0.3～1.5倍，远离光刻亚分辨率辅助图形的边的尺寸为光刻亚分辨率辅助图形宽度的0～1倍。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述支撑图形上，靠近光刻亚分辨率辅助图形的边到远离光刻亚分辨率辅助图形的边的距离不超过光刻亚分辨率辅助图形宽度的1.5倍。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述支撑图形的形状为三角形或者梯形。
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