[发明专利]光刻掩膜版的良率提升方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种光刻掩膜版的良率提升方法。

背景技术

目前，在半导体工艺中，光刻工艺为了提升自身的工艺能力，一般在65nm的技术节点就开始增加了光刻亚分辨率辅助图形（SRAF,Sub-resolution Assist Features），这些辅助图形由于实际尺寸比正常的光刻设计图形要小，它们通过改变光强通过光刻版之后的光强分布，使得正常的光刻设计图形的光强得以增强，而自身的光强由于光刻胶的分辨率达不到要求，不会在硅片上显影形成图案。但是，这样的光刻版的制作工艺要求很高，因为辅助图形的尺寸比正常的光刻设计图形要小很多，一般为曝光波长的1/5～1/4，所以价格往往是普通光刻版的好几倍。由于辅助图形的图形尺寸比正常图形小得多，所以在光刻版制作的过程中，光刻胶形成这些辅助图形时很容易发生倒塌现象，尤其是在聚焦不良的情况下。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种光刻掩膜版的良率提升方法，它可以提高带有光刻亚分辨率辅助图形的掩膜版的良率。

为解决上述技术问题，本发明的光刻掩膜版的良率提升方法，是在光刻亚分辨率辅助图形上增加支撑图形。

所述支撑图形可以环绕光刻亚分辨率辅助图形放置，也可以放置在光刻亚分辨率辅助图形的一边。

本发明通过在光刻亚分辨率辅助图形上增加一些小的支撑图形，使光刻胶在局部形成比较大的光刻胶形貌，从而增加了光刻胶与衬底的粘附力，避免了光刻胶倒塌，达到了提升光刻版良率的目的。

附图说明

图1是本发明实施例的增加了三角形支撑图形的光刻亚分辨率辅助图形示意图。

图2是本发明实施例的增加了梯形支撑图形的光刻亚分辨率辅助图形示意图。

具体实施方式

为对本发明的技术内容、特点与功效有更具体的了解，现结合图示的实施方式，详述如下：

本实施例的光刻掩膜版的良率提升方法，是在光刻亚分辨率辅助图形的周围放置支撑图形，如图1和2所示。

为了不影响正常图形的形貌，在支撑图形上，靠近光刻亚分辨率辅助图形的那条边（以下称为长边）的尺寸要大于远离光刻亚分辨率辅助图形的那条边（以下称为短边）的尺寸，一般来说，长边的尺寸可以是光刻亚分辨率辅助图形宽度的0.3～1.5倍，短边的尺寸可以是光刻亚分辨率辅助图形宽度的0～1倍，长边到短边的距离则一般不超过光刻亚分辨率辅助图形宽度的1.5倍。因此，支撑图形的形状优选为三角形或者梯形，但是也可以用其他符合上述尺寸要求的几何图形或者由几何图形组成的复杂图形。

支撑图形在光刻亚分辨率辅助图形周围可以均匀放置，也可以不均匀放置。支撑图形与支撑图形之间在沿光刻亚分辨率辅助图形的线条方向（图1、2中是竖直方向）的距离为10～50纳米。在光刻亚分辨率辅助图形的末端，支撑图形可以放置得密一些，即支撑图形之间的间距可以小于光刻亚分辨率辅助图形的中间位置处的支撑图形之间的间距。