[发明专利]一次性可编程器件以及集成电路有效
| 申请号： | 201210169827.6 | 申请日： | 2012-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN102683351A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 肖海波 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一次性可编程器件以及集成电路。本发明的一次性可编程器件包括：第一PMOS器件和右边的第二PMOS器件；其中第一PMOS器件的第一栅极多晶硅两侧的侧壁分别由从第一栅极多晶硅依次向外布置的第一主侧墙隔离层、第一主偏移侧墙、第二主侧墙隔离层以及第二主侧墙组成，第二PMOS器件的第二栅极多晶硅两侧的侧壁分别由从第二栅极多晶硅依次向外布置的第一次侧墙隔离层、第一次偏移侧墙、第二次侧墙隔离层以及第二次侧墙组成。第一PMOS器件的栅极的侧壁多晶硅、第一主侧墙，第一主偏移侧墙，第二主侧墙隔离层以及第二主侧墙上覆盖了硅化物阻挡层。第二PMOS器件的栅极多晶硅、第一侧墙隔离层、第一偏移侧墙、第二侧墙隔离层和第二侧墙上没有覆盖硅化物阻挡层。 | ||
| 搜索关键词： | 一次性 可编程 器件 以及 集成电路 | ||
【主权项】：
一种一次性可编程器件，其特征在于包括：第一PMOS器件和右边的第二PMOS器件；其中，第一PMOS器件的第一栅极多晶硅两侧的侧壁分别由从第一栅极多晶硅依次向外布置的第一主侧墙隔离层、第一主偏移侧墙、第二主侧墙隔离层以及第二主侧墙组成，第二PMOS器件的第二栅极多晶硅两侧的侧壁分别由从第二栅极多晶硅依次向外布置的第一次侧墙隔离层、第一次偏移侧墙、第二次侧墙隔离层以及第二次侧墙组成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
