[发明专利]一次性可编程器件以及集成电路

权利要求书

1.一种一次性可编程器件，其特征在于包括：第一PMOS器件和右边的第二PMOS器件；其中，第一PMOS器件的第一栅极多晶硅两侧的侧壁分别由从第一栅极多晶硅依次向外布置的第一主侧墙隔离层、第一主偏移侧墙、第二主侧墙隔离层以及第二主侧墙组成，第二PMOS器件的第二栅极多晶硅两侧的侧壁分别由从第二栅极多晶硅依次向外布置的第一次侧墙隔离层、第一次偏移侧墙、第二次侧墙隔离层以及第二次侧墙组成。

2.根据权利要求1所述的一次性可编程器件，其特征在于，第二PMOS器件的源极有源区和漏极有源区中布置了轻掺杂区和扩展注入区；第一PMOS器件的源极有源区和漏极有源区中没有布置轻掺杂区和扩展注入区。

3.根据权利要求1或2所述的一次性可编程器件，其特征在于，第一PMOS器件的栅极的第一侧壁多晶硅、第一主侧墙隔离层、第一主偏移侧墙、第二主侧墙隔离层以及第二主侧墙上覆盖了硅化物阻挡层；第二PMOS器件的第二栅极多晶硅、第一次侧墙隔离层、第一次偏移侧墙、第二次侧墙隔离层以及第二次侧墙上没有覆盖硅化物阻挡层。

4.根据权利要求1或2所述的一次性可编程器件，其特征在于，所述第一PMOS器件的所述侧第一主侧墙隔离层和所述第二主侧墙隔离层由氧化物构成；并且，所述第一PMOS器件的所述第一主侧墙隔离层和第二主侧墙由氮化物构成。

5.根据权利要求1或2所述的一次性可编程器件，其特征在于，所述第二PMOS器件的所述第一次侧墙隔离层和所述第二次侧墙隔离层由氧化物构成；所述第二PMOS器件的所述第一次偏移侧墙和所述第二次侧墙由氮化物构成。

6.根据权利要求1或2所述的一次性可编程器件，其特征在于，所述硅化物阻挡层是一个氧化物层。

7.根据权利要求1或2所述的一次性可编程器件，其特征在于，第一PMOS器件的源极作为所述一次性可编程器件的位线，所述第二PMOS器件的栅极作为所述一次性可编程器件的选择栅极，所述第二PMOS器件的漏极作为所述一次性可编程器件的选择线路。

8.根据权利要求7所述的一次性可编程器件，其特征在于，所述一次性可编程器件的编程条件为:在选择线路和衬底上施加0V电压，在位线和选择栅极上施加-5.5V电压，并且，编程时采用120us的脉冲宽度。

9.根据权利要求7或8所述的一次性可编程器件，其特征在于，所述一次性可编程器件的读取条件为:在选择线路和衬底上施加0V电压，在选择栅极上施加-1.8V电压，在位线上施加-1.5V电压。

10.根据权利要求7或8所述的一次性可编程器件，其特征在于，所述第一PMOS器件的源极与所述一次性可编程器件的位线导体相接触的界面布置了氮化硅层，所述第二PMOS器件的栅极与所述一次性可编程器件的选择栅极导体相接触的界面布置了氮化硅层，并且，所述第二PMOS器件的漏极与所述一次性可编程器件的选择线路导体相接触的界面布置了氮化硅层。

11.一种采用了根据权利要求1至10之一所述的一次性可编程器件的集成电路。