[发明专利]三维非易失性存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210169232.0 | 申请日： | 2012-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN102800695B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 李起洪;皮昇浩;申星哲 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/792;H01L27/1157;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 | 代理人： | 俞波,郭放 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了三维非易失性存储器件及其制造方法。所述3维(3D)非易失性存储器件包括自衬底突出的第一沟道；形成在所述第一沟道的侧壁上且为L形状的选择栅；以及插入在所述第一沟道与所述选择栅之间并且包围所述第一沟道的栅绝缘层。所述制造3D非易失性存储器件的方法包括形成自衬底突出的第一沟道；形成包围所述第一沟道的第一栅绝缘层；以及在其上形成有所述第一栅绝缘层的所述第一沟道的侧壁上形成L形状的第一选择栅。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 非易失性存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种三维非易失性存储器件，包括：第一沟道，所述第一沟道自衬底突出，其中在所述第一沟道的顶部和侧壁上掺杂有杂质；选择栅，所述选择栅被形成在所述第一沟道的侧壁上且具有L形状，其中所述选择栅包括包围所述第一沟道的所述侧壁的第一区域和形成在所述衬底上以从所述第一区域突出的第二区域；栅绝缘层，所述栅绝缘层被插入在所述第一沟道与所述选择栅之间以及所述选择栅与所述衬底之间，并且具有L形状；第二沟道，所述第二沟道耦接至所述第一沟道的所述顶部；以及存储器单元，所述存储器单元形成在所述选择栅之上，且沿着所述第二沟道层叠。
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