[发明专利]具有硅穿导孔的半导体组件及其制作方法无效
| 申请号： | 201210161084.8 | 申请日： | 2012-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN102738072A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 洪常瀛;洪志斌 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/48 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 中国台湾高雄*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种具有硅穿导孔的半导体组件及其制作方法，所述半导体组件包含一硅基板、一硅穿导孔、一上重布线层、一下重布线层及至少一切割槽。所述硅穿导孔形成在所述硅基板内，及所述上下重布线层分别设于所述硅基板的第一表面及第二表面的硅穿导孔表面及绝缘层上；所述至少一切割槽分割所述硅穿导孔及所述上下重布线层成为独立的至少二硅穿导孔部及其对应的线路部。本发明的半导体组件通过将一个硅穿导孔加以分割并对应多个线路部，使得所述上下重布线层可以设计得更为密集，以满足堆栈式封装技术小型化的趋势。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 硅穿导孔 半导体 组件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种具有硅穿导孔的半导体组件的制作方法，其特征在于：所述制作方法包含以下步骤：(A)提供一硅基板，包含一第一表面及一第二表面；(B)以所述第一表面为操作表面，在所述硅基板内形成一硅穿导孔；(C)于所述操作表面形成一第一绝缘层及一上重布线层，所述上重布线层形成在所述硅穿导孔与所述第一绝缘层上，并与所述硅穿导孔电性连接；以及(D)线性切割所述硅穿导孔及所述上重布线层成为独立的至少二硅穿导孔部及其多个对应的线路部。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日月光半导体制造股份有限公司，未经日月光半导体制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210161084.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种三相异步电机定子槽楔
- 下一篇：液晶面板的检验方法及设备
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
