[发明专利]具有硅穿导孔的半导体组件及其制作方法

权利要求书

1.一种具有硅穿导孔的半导体组件的制作方法，其特征在于：所述制作方法

包含以下步骤：

(A)提供一硅基板，包含一第一表面及一第二表面；

(B)以所述第一表面为操作表面，在所述硅基板内形成一硅穿导孔；

(C)于所述操作表面形成一第一绝缘层及一上重布线层，所述上重布线层形成在所述硅穿导孔与所述第一绝缘层上，并与所述硅穿导孔电性连接；以及

(D)线性切割所述硅穿导孔及所述上重布线层成为独立的至少二硅穿导孔部及其多个对应的线路部。

2.如权利要求1所述的具有硅穿导孔的半导体组件的制作方法，其特征在

于：在步骤(D)之后，包含步骤(E)：以第二表面为操作表面，重复步骤(A)-(D)，并将所述硅穿导孔及一下重布线层切割成对应于所述第一表面的所述硅穿导孔部及多个对应的线路部。

3.如权利要求1所述的具有硅穿导孔的半导体组件的制作方法，其特征在于：在步骤(D)之后，于所述上重布线层上形成一第二上重布线层。

4.如权利要求1所述的具有硅穿导孔的半导体组件的制作方法，其特征在于：在步骤(D)之后，于所述下重布线层上形成一第二下重布线层。

5.如权利要求1所述的具有硅穿导孔的半导体组件的制作方法，其特征在于：在步骤(B)中包含：

(a)形成一第一光刻胶层于所述硅基板的操作表面，曝露所述操作表面的至少一环状区域；

(b)对所述环状区域进行干式蚀刻，在所述硅基板的操作表面形成一个环槽；

(c)移除所述光刻胶层，并将绝缘材料填入所述环槽内形成一绝缘壁部；

(d)形成一第二光刻胶层于所述硅基板的操作表面，曝露所述操作表面被所述绝缘壁部围绕的一圆形区域；

(e)对所述圆形区域进行干式蚀刻，使所述硅基板在所述绝缘壁部内侧形成一个深孔；及

(f)移除所述第二光刻胶层，并将金属材料填入所述深孔内形成一金属柱。

6.一种具有硅穿导孔的半导体组件，其特征在于：包含：

一硅基板，包含一第一表面及一第二表面，所述第一表面上设有一第一绝缘层，所述第二表面上设有一第二绝缘层；

一硅穿导孔，形成在所述硅基板内，所述硅穿导孔的两端曝露于所述第一表面的第一绝缘层及所述第二表面的第二绝缘层；

一上重布线层，包含多个电性连接所述硅穿导孔的线路部；

一下重布线层，包含多个电性连接所述硅穿导孔的线路部；以及

至少一切割槽，分割所述硅穿导孔及所述上下重布线层成为独立的至少二硅穿导孔部及其对应的多个线路部。

7.如权利要求6所述的具有硅穿导孔的半导体组件，其特征在于：所述上重布线层上另包含一第二上重布线层。

8.如权利要求6所述的具有硅穿导孔的半导体组件，其特征在于：所述下重布线层上另包含一第二下重布线层。

9.如权利要求6所述的具有硅穿导孔的半导体组件，其特征在于：所述硅穿导孔包含一绝缘壁部及一金属柱部；或所述硅穿导孔包含一绝缘壁部、一金属柱部及一绝缘核心部。

10.如权利要求6所述的具有硅穿导孔的半导体组件，其特征在于：所述第一绝缘层上设有一第三绝缘层，所述第二绝缘层上设有一第四绝缘层。