[发明专利]具有硅穿导孔的半导体组件及其制作方法

说明书

技术领域

本发明是涉及一种具有硅穿导孔的半导体组件及其制作方法，特别是涉及一种以一个硅穿导孔对应多个重布线层的制作方法与构造。

背景技术

在半导体制作工艺中，硅穿导孔(TSV，Through-Silicon Via)技术已成为主要的电性连接的手段。硅穿导孔技术经常被运用在同一芯片或硅间隔件(interposer)的第一表面及第二表面电路之间的电性连接，以应用在堆栈式的芯片封装中，因此硅穿导孔有利于3D堆栈式封装技术的发展，并能够有效提高芯片的整合度与效能。

再者，为了达成更好的3D堆栈式封装，需要大量使用重布线层(redistribution-layer，RDL)的技术。其中，将硅穿导孔技术与重布线层技术结合运用，以有效的整合芯片的上下层线路以分别对应其上下的芯片更成为堆栈式封装的主要手段之一。

然而，现有的硅穿导孔技术与重布线层技术的应用中，由于重布线层的表面接垫(land)的直径约在30-50μm(微米)，并且在现有技术中，两个表面接垫的间距不能再小于10μm，因此以一个直通硅穿对应一个重布线层的既有架构使得重布线层无法设计的更密集，已无法满足堆栈式封装技术小型化的趋势。

故，有必要提供一种具有硅穿导孔的半导体组件及其制作方法，以解决现有技术所存在的问题。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种具有硅穿导孔的半导体组件及其制作方法，通过线性切割硅穿导孔及重布线层形成至少二组独立的硅穿导孔部及其对应的线路部。

为达成本发明的前述目的，本发明提供一种具有硅穿导孔的半导体组件的制作方法，其特征在于：所述制作方法包含以下步骤：(A)提供一硅基板，包含一第一表面及一第二表面；(B)以所述第一表面为操作表面，在所述硅基板内形成一硅穿导孔；(C)于所述操作表面形成一第一绝缘层及一上重布线层，所述上重布线层形成在所述硅穿导孔与所述第一绝缘层上，并与所述硅穿导孔电性连接；(D)线性切割所述硅穿导孔及所述上下重布线层成为独立的至少二硅穿导孔部及其多个对应的线路部；以及(E)以第二表面为操作表面，重复步骤(A)-(D)，并将所述硅穿导孔及一下重布线层切割成对应于所述第一表面的所述硅穿导孔部及多个对应的线路部。

再者，本发明提供另一种具有硅穿导孔的半导体组件，其包含：一硅基板、一硅穿导孔、一上重布线层、一下重布线层以及至少一切割槽。所述硅基板包含一第一表面及一第二表面，所述第一表面上设有一第一绝缘层，所述第二表面上设有一第二绝缘层；所述硅穿导孔形成在所述硅基板内，所述硅穿导孔的两端曝露于所述第一表面及一第二表面；所述上下重布线层包含多个电性连接所述硅穿导孔的线路部；所述至少一切割槽分割所述硅穿导孔及所述上下重布线层成为独立的至少二硅穿导孔部及其对应的多个线路部。

附图说明

图1是本发明一实施例的具有硅穿导孔的半导体组件的侧剖视图。

图2是本发明图1实施例的具有硅穿导孔的半导体组件的俯视图。

图3A-3I是本发明一实施例的具有硅穿导孔的半导体组件的制作方法的流程示意图。

图4是本发明另一实施例的具有硅穿导孔的半导体组件的俯视图。

图5是本发明另一实施例的具有硅穿导孔的半导体组件的侧剖视图。

图6是本发明另一实施例的具有硅穿导孔的半导体组件的侧剖视图。

具体实施方式

为让本发明上述目的、特征及优点更明显易懂，下文特举本发明较佳实施例，并配合附图，作详细说明如下：

请参照图1所示，图1是本发明一实施例的具有硅穿导孔的半导体组件的侧剖视图。本实施例的具有硅穿导孔(TSV，Through-Silicon Via)的半导体组件，包含：一硅基板10、一硅穿导孔100、至少一上重布线层60a、至少一下重布线层60b及至少一切割槽70。所述硅基板10包含一第一表面11及一第二表面12；所述硅穿导孔100形成在所述硅基板10内，所述硅穿导孔100的两端曝露于所述第一表面11及所述第二表面12。

另外，形成一第一绝缘层110于第一表面11之上层，其目的为绝缘上重布线层60a与硅基板10，以及形成第二绝缘层120于第二表面12之上层，其目的为绝缘下重布线层60b与硅基板10。并且，所述硅穿导孔100的两端曝露于所述第一表面11的第一绝缘层110及所述第二表面12的第二绝缘层120之外。