[发明专利]主动元件阵列基板及其制造方法有效
申请号: | 201210160762.9 | 申请日: | 2012-05-16 |
公开(公告)号: | CN102832226A | 公开(公告)日: | 2012-12-19 |
发明(设计)人: | 叶家宏;吕思慧;林武雄;丘兆仟;李明贤;彭佳添;黄伟明 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/28 | 分类号: | H01L27/28;G09F9/37;H01L21/77 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;鲍俊萍 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种主动元件阵列基板及其制造方法,该主动元件阵列基板包含软质基板、栅极、介电层、通道层、源极、漏极与像素电极。软质基板上定义有晶体管区与透光区。晶体管区与透光区相毗邻。栅极位于晶体管区的软质基板上。介电层覆盖栅极与软质基板。位于栅极上方的部分介电层具有第一厚度。位于透光区的软质基板上的部分介电层具有第二厚度。第二厚度小于第一厚度。通道层、源极与漏极均位于晶体管区的介电层上。通道层位于栅极的上方。源极与漏极位于通道层两侧且分别电性连接通道层。像素电极位于透光区的介电层上。此像素电极电性连接漏极。 | ||
搜索关键词: | 主动 元件 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种主动元件阵列基板,其特征在于,包含:一软质基板,该软质基板上定义有至少一晶体管区与至少一透光区,该晶体管区与该透光区相毗邻;一栅极,位于该晶体管区的该软质基板上;一介电层,覆盖该栅极与该软质基板,位于该栅极上方的部分该介电层具有一第一厚度,位于该透光区的该软质基板上的部分该介电层具有一第二厚度,其中该第二厚度小于该第一厚度;一通道层、一源极与一漏极,位于该晶体管区的该介电层上,该通道层位于该栅极的上方,该源极与该漏极位于该通道层两侧且分别电性连接该通道层;以及一像素电极,位于该透光区的该介电层上,该像素电极电性连接该漏极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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