[发明专利]主动元件阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种主动元件阵列基板，其特征在于，包含：

一软质基板，该软质基板上定义有至少一晶体管区与至少一透光区，该晶体管区与该透光区相毗邻；

一栅极，位于该晶体管区的该软质基板上；

一介电层，覆盖该栅极与该软质基板，位于该栅极上方的部分该介电层具有一第一厚度，位于该透光区的该软质基板上的部分该介电层具有一第二厚度，其中该第二厚度小于该第一厚度；

一通道层、一源极与一漏极，位于该晶体管区的该介电层上，该通道层位于该栅极的上方，该源极与该漏极位于该通道层两侧且分别电性连接该通道层；以及

一像素电极，位于该透光区的该介电层上，该像素电极电性连接该漏极。

2.根据权利要求1所述的主动元件阵列基板，其特征在于，该软质基板的材质包含塑料。

3.根据权利要求1所述的主动元件阵列基板，其特征在于，该软质基板的材质包含聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二酯、聚2，6-萘二酸乙二醇酯或上述的任意组合。

4.根据权利要求1所述的主动元件阵列基板，其特征在于，该介电层的材质包含氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或上述的任意组合。

5.根据权利要求1所述的主动元件阵列基板，其特征在于，更包含至少一储存电容，该储存电容位于该软质基板上，该储存电容包含一下电极、一电容介电层与一上电极。

6.根据权利要求5所述的主动元件阵列基板，其特征在于，该电容介电层为该介电层的一部分。

7.根据权利要求1所述的主动元件阵列基板，其特征在于，更包含至少一连接垫，该连接垫位于该软质基板上，该连接垫包含一下层连接垫与一上层连接垫。

8.根据权利要求1所述的主动元件阵列基板，其特征在于，通道层的材质包含非晶硅、复晶硅、氧化物半导体或上述的任意组合。

9.根据权利要求1所述的主动元件阵列基板，其特征在于，更包含一保护层覆盖该通道层、该源极与该漏极。

10.根据权利要求1所述的主动元件阵列基板，其特征在于，该像素电极的材质包含铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锌氧化物或上述的任意组合。

11.根据权利要求1所述的主动元件阵列基板，其特征在于，更包含一金属氧化物介电层，该金属氧化物介电层位于该软质基板及该介电层之间。

12.根据权利要求11所述的主动元件阵列基板，其特征在于，该金属氧化物介电层更位于该软质基板及该栅极之间。

13.根据权利要求11所述的主动元件阵列基板，其特征在于，该金属氧化物介电层更位于该介电层及该栅极之间。

14.根据权利要求11所述的主动元件阵列基板，其特征在于，该金属氧化物介电层的材质包含铟氧化物、锌氧化物、镓氧化物或上述的任意组合。

15.一种主动元件阵列基板的制造方法，其特征在于，包含下列步骤：

提供一软质基板，该软质基板上定义有至少一晶体管区与至少一透光区；

于该软质基板的该晶体管区上形成一栅极；

依序形成一介电层与一半导体层，该介电层与该半导体层覆盖该栅极与该软质基板；

去除部分该半导体层，以于该栅极上方形成一通道层，并一并去除位于该透光区的该介电层的部份厚度，使位于该栅极上方的部分该介电层具有一第一厚度，位于该透光区的该软质基板上的部分该介电层具有一第二厚度，其中该第二厚度小于该第一厚度；

于该通道层的两侧分别形成一源极与一漏极，且分别电性连接该通道层；

形成一保护层，该保护层覆盖该通道层、该源极、该漏极与该介电层；

于该保护层中形成一晶体管接触孔，以分别暴露出该漏极，并同时去除位于该透光区的该保护层，以暴露出位于该透光区的该介电层；以及

在位于该透光区的该介电层上形成一像素电极，该像素电极透过该晶体管接触孔电性连接该漏极。

16.根据权利要求15所述的主动元件阵列基板的制造方法，其特征在于，该软质基板的材质包含塑料。

17.根据权利要求15所述的主动元件阵列基板的制造方法，其特征在于，该软质基板的材质包含聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二酯、聚2，6-萘二酸乙二醇酯或上述的任意组合。