[发明专利]一种高纯大尺寸氧化镁单晶的制备方法有效
| 申请号： | 201210160256.X | 申请日： | 2012-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN102703978A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 吕佳成;汪长安 | 申请（专利权）人： | 吕佳成;汪长安 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C30B11/00;C01F5/06 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人： | 许宗富;周秀梅 |
| 地址： | 110101 辽宁省沈阳*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高纯大尺寸氧化镁单晶的制备方法，属于晶体生长技术领域。该方法首先将菱镁矿石提纯化处理，得到高纯的重烧氧化镁；重烧氧化镁经破碎、磁选、分筛后得到分级氧化镁粉体；按照最大密度的堆积原则，将分级氧化镁粉体级配混合，然后将10~50吨混合料一次性装入单晶生长炉体中；在温度2800~3500℃、电流2万安培条件下冶炼20~50小时；自然冷却后剥离外层的多晶氧化镁层，得到氧化镁单晶块，再通过分选，即可得到高纯大尺寸氧化镁单晶。本发明方法可以生产高纯度（≥99.99%）、大尺寸（≥2英寸）氧化镁单晶，且该方法制备工艺简单，对原料来源和设备及工艺条件的要求低，有利于推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高纯 尺寸 氧化镁 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高纯大尺寸氧化镁单晶的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：（1）菱镁矿石经过提纯化处理，得到高纯的重烧氧化镁；（2）将步骤（1）中制得的重烧氧化镁经破碎、磁选、分筛后得到粒度分别为4～6mm、3~4mm、2~3mm、1~2mm和0.5～1mm的分级氧化镁粉体，将粒度0.5mm以下的氧化镁粉体去除；（3）按照最大密度的堆积原则，将分级氧化镁粉体级配混合，得到混合料，然后将10~50吨混合料一次性装入单晶生长炉体中；（4）在炉膛中预埋入石墨电极2~3根；混合料装入炉体中后通电升温，在温度2800~3500℃、电流2万安培条件下冶炼20~50小时；然后断电，自然冷却100~300小时；最后，剥离外层的多晶氧化镁层，即可得到氧化镁单晶块，再通过分选，即可得到高纯大尺寸氧化镁单晶。
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