[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201210153640.7 | 申请日： | 2012-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN102800651A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | 长田昌也 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/768;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置，包括：基底材料部分，包括半导体基板和形成在该半导体基板的一个面上的绝缘膜，而且沿着半导体基板的厚度方向于该基底材料部分形成竖直孔；竖直孔配线部分，包括形成在该基底材料部分的形成该竖直孔的侧壁上的竖直孔电极；金属膜，形成在该绝缘膜内，并且电连接到竖直孔配线部分；以及导电保护膜，形成为与该绝缘膜内的该金属膜接触，并且形成在包括探针测试期间的探针接触区域的区域中，该探针测试于制造过程中在该金属膜的膜表面上进行。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：基底材料部分，包括半导体基板和形成在所述半导体基板的一个面上的绝缘膜，而且沿着所述半导体基板的厚度方向于所述基底材料部分形成有竖直孔；竖直孔配线部分，包括在所述基底材料部分的形成所述竖直孔的侧壁上形成的竖直孔电极；金属膜，形成在所述绝缘膜内，并且电连接到所述竖直孔配线部分；以及导电保护膜，形成为与所述绝缘膜内的所述金属膜接触并且形成在包括探针测试期间的探针接触区域的区域中，该探针测试于制造过程中在该金属膜的膜表面上进行。
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