[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

基底材料部分，包括半导体基板和形成在所述半导体基板的一个面上的绝缘膜，而且沿着所述半导体基板的厚度方向于所述基底材料部分形成有竖直孔；

竖直孔配线部分，包括在所述基底材料部分的形成所述竖直孔的侧壁上形成的竖直孔电极；

金属膜，形成在所述绝缘膜内，并且电连接到所述竖直孔配线部分；以及

导电保护膜，形成为与所述绝缘膜内的所述金属膜接触并且形成在包括探针测试期间的探针接触区域的区域中，该探针测试于制造过程中在该金属膜的膜表面上进行。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述金属膜提供在所述导电保护膜的半导体基板侧。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述导电保护膜提供在所述金属膜的半导体基板侧。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述导电保护膜设置在与所述竖直孔的开口部分相对的位置。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中开口面积小于包括探针接触区域的区域的开口部分形成在所述绝缘膜的在探针接触侧的表面上，而且在所述探针接触区域中形成有所述导电保护膜。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述导电保护膜是Au膜、Ni膜和Cu膜中的任一种。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述导电保护膜是W膜、Ti膜、TiN膜和Ti膜的层叠膜以及TaN膜和Ta膜的层叠膜中的至少一种。

8.一种制造半导体装置的方法，包括：

在基底材料部分的绝缘膜内形成金属膜，所述基底材料部分包括半导体基板和形成在所述半导体基板的一个面上的所述绝缘膜；

在所述绝缘膜内且在所述金属膜的膜面内的预定区域内形成与所述金属膜接触的导电保护膜；

通过使探针接触所述金属膜和所述导电保护膜中的暴露在所述绝缘膜在所述半导体基板侧的相反侧的表面上的一方而进行探针测试；以及

在所述探针测试后，沿着所述半导体基板的厚度方向于所述基底材料部分形成竖直孔。