[发明专利]一种金属粒子阵列基表面增强拉曼散射基底的制备方法

摘要

一种金属粒子阵列基表面增强拉曼散射基底的制备方法，它是以金属辅助化学腐蚀法制备出的多孔硅纳米线阵列(PSNWA)为衬底材料，利用浸渍还原法将金属盐溶液中的金属离子还原成单质，并以纳米颗粒的形式在PSNWA表面均匀沉积后得到表面增强拉曼散射活性基底，通过浸润或滴定的方法将待检测物质引入活性基底表面，即可进行拉曼光谱检测。该方法成本低廉、工艺简单、操作简便，SERS信号灵敏度高、重复性好，同时SERS光谱有很高的稳定性和重现性。本发明提供快速、高灵敏度、高可靠性的分子检测及痕量分析方法，需用样品量极少，适合各种液体样品，在临床生物分子快速识别、痕量化学物质检测、生物样品分析等方面具有广阔应用前景。

主权项

1.一种金属粒子阵列基表面增强拉曼散射基底的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将电阻率为0.001-50Ωcm的n或p型的单晶硅片置于反应釜，填充由质量分数1~40%的HF、0.001~1mol/L的AgNO₃以及质量分数0.1%~10%的H₂O₂组成的腐蚀液，反应釜的溶液体积填充度为40~90%，在温度10~100℃下腐蚀1分钟~2小时，经过上述金属辅助化学腐蚀法处理后即可制备出基底所需的衬底材料多孔硅纳米线阵列；(2)将多孔硅纳米线阵列置于0.0001~1mol/L的贵金属盐溶液或质量分数1~40%的HF/0.0001~1mol/L贵金属盐混合溶液中浸渍1秒~1小时后取出自然晾干，或在N₂中吹干，即得到金属粒子阵列基表面增强拉曼散射基底。